Dotierung
Ionenimplantation
- Ionenimplantationsanlage:
Ionenimplantationsanlage zur Modifikation von Halbleitereigenschaften (z.B. Dotierung) mittels hochenergetischer Ionen
Ofentechnik
Horizontalöfen – Vertikalofen – Einzelscheibenreaktor
- Horizontalöfen:
Horizontalöfen zur Ausheilung von Kristalldefekten nach der Ionenimplantation und zur thermischen Aktivierung von Dotierstoffatomen
- Vertikalofen:
Hochtemperaturfähiger Vertikalofen (bis 1700°C) zur thermischen Ausheilung und Aktivierung der Dotierstoffe in Halbleitersubstraten (z.B. SiC)
