Dotierung

• Ionenimplantationsanlage:
  
  

  Ionenimplantationsanlage zur Modifikation von Halbleitereigenschaften (z.B. Dotierung) mittels hochenergetischer Ionen

Horizontalöfen – Vertikalofen – Einzelscheibenreaktor

• Horizontalöfen:
  

  Horizontalöfen zur Ausheilung von Kristalldefekten nach der Ionenimplantation und zur thermischen Aktivierung von Dotierstoffatomen

• Vertikalofen:
  
  

  Hochtemperaturfähiger Vertikalofen (bis 1700°C) zur thermischen Ausheilung und Aktivierung der Dotierstoffe in Halbleitersubstraten (z.B. SiC)

• Einzelscheibenreaktor:
  
  

  Lampenbeheizter Einzelscheibenreaktor zur schnellen thermischen Ausheilung von Halbleiterscheiben nach der Ionenimplantation

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