Nitrid-Halbleiter (AG Schimmel)

Für Anwendungen in elektronischen Bauelementen ist die aufstrebende Materialklasse der Nitride hoch spannend, weil durch sie einzigartige, teils neue Kombinationen von Materialeigenschaften ermöglicht werden. Neben einer kleinen Gruppe relativ weit entwickelter Materialien (GaN und AlN, zwei wichtige Halbleiter großer Bandlücke) existiert eine Vielzahl von bislang kaum erforschten und vielversprechenden  Materialien.Ein skalierbares Verfahren zur Herstellung von Nitrid-Einkristallen hoher struktureller Qualität ist die sog. Ammonothermalsynthese, d.h. die Kristallzüchtung aus der Lösung mit Ammoniak im überkritischen Zustand. Für die Erforschung dieses Verfahrens verfügt die Arbeitsgruppe über weltweit einmalige Möglichkeiten zur in situ Beobachtung chemisch-physikalischer Prozesse in Hochdruckbehältern. Forschungsziele der Arbeitsgruppe: 

• Materialherstellung 
• Materialcharakterisierung 
• Evaluation und Erprobung von Anwendungsmöglichkeiten in elektronischen Bauelementen

Aufgrund des stark interdisziplinären Charakters des Forschungsgebietes entstehen hier vielfältige Mitwirkungsmöglichkeiten nicht nur für Elektrotechniker, sondern auch für Studenten und Absolventen weiterer Fachrichtungen (z.B.: Chemieingenieurwesen, Materialwissenschaften, Chemie, Physik). Aktuelle Themen für Abschlussarbeiten sind auf der Lehrstuhl-Homepage im Bereich "Lehre" zu finden, weitere mögliche Themen können ggf. im Gespräch identifiziert werden. 

Projekte: