Horizontalöfen – Vertikalofen – Einzelscheibenreaktor
Horizontalöfen zur Ausheilung von Kristalldefekten nach der Ionenimplantation und zur thermischen Aktivierung von Dotierstoffatomen
Hochtemperaturfähiger Vertikalofen (bis 1700°C) zur thermischen Ausheilung und Aktivierung der Dotierstoffe in Halbleitersubstraten (z.B. SiC)
Lampenbeheizter Einzelscheibenreaktor zur schnellen thermischen Ausheilung von Halbleiterscheiben nach der Ionenimplantation
