Offene Arbeiten
Offene Arbeiten am LEB
Neben den untenstehenden offenen Arbeiten bieten wir laufend ein breites Spektrum an Themen aus den Arbeitsgebieten des Lehrstuhls an. Anfragen richten Sie bitte an Tobias Dirnecker. Geben Sie bitte an, welche Art von studentischer Arbeit Sie suchen, welche Qualifikationen Sie besitzen und welche Arbeitsgebiete für Sie von besonderem Interesse sind.
Effiziente Bestimmung des Brechungsindexes von Dünnschichten mithilfe mikrospektroskopischer Messungen (Masterarbeit)– Ansprechpartner: Julian Schwarz (M. Sc.)– Beschreibung: Im Rahmen dieser Arbeit sollen die verschiedenen Ansätze zur Bestimmung des Brechungsindexes an Proben mit steigender Komplexität untersucht werden. Zu Beginn steht eine Vielzahl an Messdaten zur Verfügung, im Verlauf können eigenständig Messungen am vorhanden Mikrospektroskopiesystem notwendig werden. Da die Mehrdeutigkeit zu einer großen Zahl von Lösungen führt, sollen eigene Ansätze zur effizienten und präzisen Isolation der „korrekten“ Lösung entwickelt werden. Ziel der Arbeit ist das Aufstellen einer geeigneten Strategie zur Bestimmung des komplexen Brechungsindexes mit möglichst geringem Mess- und Rechenaufwand. Zielgruppe und Qualifikationen: |
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Silizium Carbid (SiC) Technologie und Bauelemente (Bachelor-/Masterarbeiten) Die Entwicklung dieser SiC Technologie bringt zahleiche Herausforderungen mit sich, aus denen sich Möglichkeiten für Abschlussarbeiten (Bachelor- und Masterarbeiten) in den folgenden Themenkomplexen ergeben:
SiC-CMOS-Technologie und -Bauelemente – Ansprechpartner: Alexander May (E-Mail: alexander.may@iisb.fraunhofer.de) – Motivation: Entwicklung von integrierten Schaltungen und Sensoren für Hochtemperaturanwendungen. – Herausforderung: Grundsätzliche Realisierung von integrierten Schaltungen und Sensoren in SiC und Langzeitstabilität bei hohen Temperaturen.
SiC-Trench-MOSFET-Technologie und -Bauelemente – Ansprechpartner: Maximilian Szabo (E-Mail: maximilian.szabo@iisb.fraunhofer.de) – Motivation: Reduzierung der Verlustleistung und Verbesserung des Einschaltwiderstands (Ron) von MOSFETs mittels Integration von Grabenstrukturen. – Herausforderung: Ätzen der Gräben mit anschließendem Verfüllen und Planarisieren zur Herstellung der Gate-Strukturen und der Gate-Elektrode. – Ansprechpartner: Norman Böttcher (E-Mail: norman.boettcher@iisb.fraunhofer.de) – Motivation: Konzeptionierung eines selbst-versorgten und selbst-auslösenden halbleiterbasierten Überstromschutzschalters. – Herausforderung: Entwurf und physische Realisierung eines Konzepts mit konkurrenzfähigen Spezifikationen im Vergleich zum Stand der Technik. – Ansprechpartner: Julien Körfer (E-Mail: julien.koerfer@iisb.fraunhofer.de) – Motivation: Kenntnis über Schichtdicke und -zusammensetzung während des Herstellungsprozesses ist essenziell für korrekte Prozessierung. – Herausforderung: Unbekannte Zusammensetzung oder hohe Oberflächen-rauhigkeit machen neue Charakterisierungsmethoden notwendig. – Ansprechpartner: Julian Kauth (E-Mail: julian.kauth@iisb.fraunhofer.de) – Motivation: Kenntnis über die Anzahl der tatsächlich vorhanden Ladungs-träger ist essenziell für die korrekte Modellierung von Bauelementen. – Herausforderung: Ein nicht abschließend geklärter Effekt bei Aluminium-dotiertem SiC führt zu einer unerwarteten Reduzierung von Löchern.
– Numerisch in TCAD, zur Abschätzung der elektrischen, thermischen oder mechanischen Eigenschaften eines konkreten Bauelemententwurfs.
– Entwurf der für den Herstellungsprozess verwendeten Fotomasken.
– Ggf. Einarbeitung in ausgewählte Anlagen im Reinraum zur Entwicklung benötigter Prozessschritte.
– Auswertung der Experimente hinsichtlich technologischer Fragestellungen (z.B. Ladungsträgerkonzentration, Zuverlässigkeit, Leistungskennzahlen). |
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Entwicklung eines stark verbesserten Autoklaven-Aufreinigungsprozesses für die ammonothermale Züchtung von hochreinen Nitriden (Bachelor-/Masterarbeit)– Ansprechpartner: Thomas Wostatek (M. Sc.) – Beschreibung: Was Du bei uns tust: Was Du mitbringst: |
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Vergleich unterschiedlicher Verfahren zur Herstellung von nickelbasierten Ohmkontakten auf 4H-SiC (Masterarbeit)– Ansprechpartner: Dr. Carsten Hellinger (FHG-IISB, Tel. 09131 / 761-590 , E-Mail: carsten.hellinger@iisb.fraunhofer.de) – Beschreibung: |
offen |
Quantitative Untersuchung der Versetzungsdichte in HVPE-GaN mittels Röntgentopographie und defektselektivem Ätzen (Masterarbeit)– Ansprechpartner: Dr. Sven Besendörfer (FHG-IISB, Tel. 09131 / 761-182 , E-Mail: sven.besendoerfer@iisb.fraunhofer.de) – Beschreibung: Was Du bei uns tust Was Du mitbringst |
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