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Offene Arbeiten

Offene Arbeiten am LEB

Neben den untenstehenden offenen Arbeiten bieten wir laufend ein breites Spektrum an Themen aus den Arbeitsgebieten des Lehrstuhls an. Anfragen richten Sie bitte an Tobias Dirnecker. Geben Sie bitte an, welche Art von studentischer Arbeit Sie suchen, welche Qualifikationen Sie besitzen und welche Arbeitsgebiete für Sie von besonderem Interesse sind.

 

    • Energie:

    • Halbleitertechnologie:
    • Leistungsbauelemente:
    • Weitere:
    • Non-destructive structural defect characterization of AlN bulk crystals by X-ray topography measurements and its simulation (Bachelor-/Masterarbeit)

      Betreuer:

      Dr. rer. nat. Elke Meissner
      Weingärtner, Roland (FHG-IISB, Tel. 09131 / 761-278 , E-Mail: roland.weingaertner@iisb.fraunhofer.de)
      Martin März (Prof. Dr.-Ing.)

      – Beschreibung:

      Aluminum nitride (AlN) is a promising wide band-gap material for optoelectronic device applications and high power electronics. Nevertheless, industry-relevant, large-scale wafers are still in development and defect reduction is not yet sufficiently achieved. In this framework AlN bulk single crystals are grown at Fraunhofer IISB and a comprehensive set of one-inch AlN monocrystalline wafers with different defect contents are available for characterization.

      The principle aim of this thesis work is to characterize dislocation defects in AlN-wafers by means of X-ray topography (XRT) measurements. The influence of several reflection geometries on the XRT-images of dislocations should be investigated along with respective simulations. For the later an in-house simulation program is available. The objective is to identify the dislocation type and its Burgers vector from the XRT-measurements with a high-resolution camera.

      The student will be trained in using modern XRT technology with industrial relevance, which is in the current configuration unique in Europe. The student learns to handle the measurement process of the XRT with subsequent extensive interpretation and simulation of the results.

      The topic is incorporated in the nitride group of the materials department of IISB. Since the results are important for other group members we expect that the student is able to work in a team.

      In addition, extended knowledge in X-ray diffraction, crystallography and defects in semiconductors is desirable but not mandatory. Fundamental knowledge in structural properties and characterization of crystals and crystalline layers is useful. Decent fundamentals of crystallography will be necessary.

      offen
      Untersuchungen zur Prozessstabilität der Parylene-Beschichtung mittels CVD-Verfahren (Masterarbeit)

      Betreuer:
      Zimmermann, Victoria (FHG-IISB, Tel. 09131 / 761-638 , E-Mail: victoria.zimmermann@iisb.fraunhofer.de)
      Martin März (Prof. Dr.-Ing.)

      – Beschreibung:

      Der Hochleistungskunststoff Parylene ist eine vielversprechende Alternative zur Passivierung von elektroni-schen Bauteilen. Parylene hat u. a. die Eigenschaften sich an jede Oberfläche perfekt anzupassen und auch kleinste Löcher und Lücken füllen zu können. Der Prozess ist dabei höchst temperaturschonend gegenüber den zu beschichten Bauelementen. Da es sich um ein neues komplexes Verfahren handelt, sollen verschiedene Untersuchungen durchgeführt werden. Dabei soll eine technische und wirtschaftliche Bewertung der Parylenesorten F-VT4 und F-AF4 hinsichtlich Performance und Kosten erörtert werden. Es gilt darauf zu achten, welche Einflussgrößen und Parameter die Schichtqualität maßgeblich beeinträchtigen.
      Zusätzlich soll die Größe der Schwankung eines Prozesses auf das Produkt für das jeweilige Material untersucht werden. Besonders gilt es dazu die Parameter Haftung und Isolationsfestigkeit sowie deren Wechselwirkung zu beachten. Schlussendlich soll eine Aussage über die Prozessstabilität von Parylene getroffen werden.

      offen