• Navigation überspringen
  • Zur Navigation
  • Zum Seitenende
Organisationsmenü öffnen Organisationsmenü schließen
Lehrstuhl für Elektronische Bauelemente
  • FAUZur zentralen FAU Website
  1. Friedrich-Alexander-Universität
  2. Technische Fakultät
  3. Department Elektrotechnik-Elektronik-Informationstechnik
  • en
  • de
  • Department EEI
  • UnivIS
  • StudOn
  • Kontakt
  1. Friedrich-Alexander-Universität
  2. Technische Fakultät
  3. Department Elektrotechnik-Elektronik-Informationstechnik

Lehrstuhl für Elektronische Bauelemente

Menu Menu schließen
  • Lehrstuhl
    • Team
    • Historie
    • Ausstattung
    • Dissertationen
    Portal Lehrstuhl
  • Forschung
    • Halbleiterbauelemente (AG Schulze)
    • Angewandte Quantentechnologien (AG Nagy)
    • Nitrid-Halbleiter (AG Schimmel)
    • Publikationen
    Portal Forschung
  • Lehre
    • Vorlesungen
    • Praktika
    • Seminare
    • Studentische Arbeiten
    Portal Lehre
  • Reinraumlabor
    • Bedeutung
    • Ausstattung
    • Daten & Fakten
    Portal Reinraumlabor
  • µe-bauhaus erlangen-nürnberg
    • Auf einen Blick
    • Hintergrund
    • Manifest des µe-bauhaus erlangen-nürnberg
    Portal µe-bauhaus erlangen-nürnberg
  1. Startseite
  2. Lehre
  3. Studentische Arbeiten
  4. Laufende Arbeiten

Laufende Arbeiten

Bereichsnavigation: Lehre
  • Vorlesungen
  • Praktika
  • Seminare
  • Studentische Arbeiten
    • Offene Arbeiten
    • Laufende Arbeiten
    • Abgeschlossene Arbeiten

Laufende Arbeiten

Laufende Arbeiten am LEB

Oberflächenpassivierung und Charakterisierung von 4H-SiC für Quantenanwendungen (Bachelorarbeit)

– Betreuer:

Scharin-Mehlmann, Scharin (FHG-IISB, Tel. 09131 / 761-254 , E-Mail: marina.scharin-mehlmann@iisb.fraunhofer.de)
Prof. Dr.-Ing. habil. Jörg Schulze

– Beschreibung:
Motivation

Siliziumkarbid weist eine einzigartige Kombination von quantenphysikalischen Eigenschaften, reifer Halbleitertechnologie und Nanofabrikation, sowie weiteren anwendungsrelevanten Eigenschaften (z.B. thermische Stabilität, chemische Inertheit, Biokompatibilität) auf. Hierdurch ist es ein vielversprechendes Material für eine Vielzahl von Quantenanwendungen, wie z.B. Quantensensorik, Quantencomputer oder Quantenkommunikation. Für diese Art von Anwendungen werden die so genannten defektbasierten Farbzentren, deren Spin sich steuern lässt, in SiC erforscht. Jedoch werden die Lumineszenz- oder Spin-Eigenschaften dieser Farbzentren häufig durch schlecht passivierte oder unpassivierte Wirtskristalloberflächen, Oberflächenadsorbate und Oberflächenschädigungen durch die Nanofabrikation verschlechtert. Es wurden in einigen Materialien, insbesondere in Diamant, molekulare Terminierungsverfahren bereits erforscht, um die Oberfläche zu schützen und zu passivieren. Allerdings ist diese Terminierung weder chemisch noch thermisch stabil, was ihr Potenzial für Quantenanwendungen einschränkt, bei denen eine Langzeitstabilität erforderlich ist. Daher ist eine geeignete und langzeitstabile Oberflächenterminierung ein Schlüssel zur Optimierung der optischen und Spin-Eigenschaften von 4H-SiC Quantenbauelementen.

Ziel und Inhalt

Herstellung und Charakterisierung einer (physikalisch/chemisch) langzeitstabilen Passivierungsschicht auf 4H-SiC. Hierzu werden zur Funktionalisierung der Oberflächen ein Plasmaofen, sowie zur zusätzlichen Stabilisierung der 4H-SiC Oberflächen werden Beschichtungsmethoden wie PECVD und ALD Prozesse im Uni-RR verwendet. Als Beschichtungsmaterialien werden SiN, SiO2, HfOx und Al2O3 angewandt. Im Ausblick: Neben der direkten Charakterisierung der Oberflächeneigenschaften kann nach erfolgreicher Herstellung einer stabilen Passvierungsschicht auch eine Demonstration mittels Messung der Farbzentreneigenschaften an SiC-Chips erfolgen.

Sarah Saarmann
Herstellung, Charakterisierung und Bewertung von leitfähigen, aufgedampften Diffusionsbarrieren auf Basis von Titan und Tantal für die Anwendung auf hochtemperatur-kompatiblen Leistungshalbleiterbauelementen (Bachelorarbeit)

– Betreuer:

Körfer, Julien (FHG-IISB, Tel. 09131 / 761-267 , E-Mail: julien.koerfer@iisb.fraunhofer.de)
Prof. Dr.-Ing. habil. Jörg Schulze

– Beschreibung:
Diffusionsbarrieren auf Basis von Tantal und Titan wie z.B: Titannitrid (TiN) & Tantalnitrid (TaN) werden häufig als Diffusionssperrschichten in komplexer Metallisierungssysteme eingesetzt. Um die Diffusionsprozesse zu verstehen, die schließlich zum Versagen der Barriereschicht und damit des gesamten Bauelements führen können, ist es unerlässlich, die Auswirkungen der Prozessparameter der Ionenstrahlgestützte Abscheidung auf die chemischen und strukturellen Eigenschaften dieser Schichten zu untersuchen.

reserviert Andreas M.
Herstellung und Charakterisierung von lateralen Tunneldioden zur Messung der Anisotropie des Tunnelns in 4H-SiC (Bachelorarbeit)

– Betreuer:

Jan Dick (M. Sc.)
Prof. Dr.-Ing. habil. Jörg Schulze

– Beschreibung:

Samuel Friedrich
Entwicklung eines automatisierten Messplatzes zur Charakterisierung des Schaltverhaltens von Leistungshalbleitern (Bachelorarbeit)

– Betreuer:

Kist, Tobias (extern)
Prof. Dr.-Ing. habil. Jörg Schulze

– Beschreibung:

Andrés Popov
Assesing the Accuracy and Efficiency of Dr. Litho’s Waveguide Module for Waveguide Applications (Masterarbeit)

– Betreuer:

PD Dr. rer. nat. Andreas Erdmann
Prof. Dr.-Ing. habil. Jörg Schulze

– Beschreibung:

Necdet Basaran
Temperaturabhängigkeit elektrischer Parameter einer 4H-SiC CMOS-Technologie für Temperaturen bis zu 500 °C (Bachelorarbeit)

– Betreuer:

Rommel, Mathias (FHG-IISB, Tel. 09131 / 761-108 , E-Mail: mathias.rommel@iisb.fraunhofer.de)
May, Alexander (FHG-IISB, Tel. 09131 / 761-646 , E-Mail:alexander.may@iisb.fraunhofer.de)
Prof. Dr.-Ing. habil. Jörg Schulze

– Beschreibung:
Halbleiterbauelemente oder gar integrierte Schaltungen bis zu 500 °C durchgehend funktional betreiben zu können, stellt erhebliche Herausforderungen an die Bauelemente und die Technologie, mit denen sie hergestellt werden. Am LEB/Fraunhofer IISB existiert eine 4H-SiC-CMOS-Technologie, die entsprechende Anforderungen erfüllen soll. Im Rahmen dieser Bachelorarbeit sollen anhand temperaturabhängiger elektrischer Charakterisierung von Teststrukturen grundlegend material- und prozessabhängige Parameter untersucht werden (z.B. Kontaktwiderstände oder Schichtwiderstände dotierter Gebiete). Die Messergebnisse sollen dann kritisch hinsichtlich grundlegender Funktionalität der Teststrukturen und der Plausibilität des Temperaturverhaltens der elektrischen Messergebnisse bewertet werden.

Sylvia Schnid
Gewinnung und Kalibrierung von TCAD-Simulationsparametern für nicht-lokale Tunnelmodelle für 4H-SiC (Masterarbeit)

– Betreuer:

Jan Dick (M. Sc.)
Prof. Dr.-Ing. habil. Jörg Schulze

– Beschreibung:

Maximilian Ley
Hochfrequenz-Gehäuse-Design für Qubit Chips bei kryogenen Temperaturen (Masterarbeit)

– Betreuer:

Prof. Dr. Roland Nagy

– Beschreibung:

Michael Baron
Designing of an optical path for photoluminescent excitation of V2 color centers in 4H-SiC (Bachelorarbeit)

– Betreuer:

Es konnte kein Kontakteintrag mit der angegebenen ID 3785 gefunden werden.
Prof. Dr. Roland Nagy

– Beschreibung:
To characterize a V2 color center as a spin system for quantum computation, a photoluminescent excitation measurement is performed. Due to backreflections the detected optical signal is strongly overlapping with the exciting beam. This overlapping can be minimized for the detection path by choosing optical polarizing elements.

Mike Gerd Georg Köstler
A standalone fiber-based quantum sensor using ensembles of NV-centers in diamond (Masterarbeit)

– Betreuer:

Es konnte kein Kontakteintrag mit der angegebenen ID 3012 gefunden werden.
Prof. Dr. Roland Nagy

– Beschreibung:

Benjamin Pohl
Lehrstuhl für Elektronische Bauelemente
FAU Erlangen-Nürnberg

Cauerstr. 6
91058 Erlangen
  • Impressum
  • Datenschutz
  • Barrierefreiheit
  • Facebook
  • RSS Feed
  • Twitter
  • Xing
Nach oben