Laufende Arbeiten
Laufende Arbeiten am LEB
Oberflächenpassivierung und Charakterisierung von 4H-SiC für Quantenanwendungen (Bachelorarbeit)– Betreuer: Scharin-Mehlmann, Scharin (FHG-IISB, Tel. 09131 / 761-254 , E-Mail: marina.scharin-mehlmann@iisb.fraunhofer.de) – Beschreibung: Siliziumkarbid weist eine einzigartige Kombination von quantenphysikalischen Eigenschaften, reifer Halbleitertechnologie und Nanofabrikation, sowie weiteren anwendungsrelevanten Eigenschaften (z.B. thermische Stabilität, chemische Inertheit, Biokompatibilität) auf. Hierdurch ist es ein vielversprechendes Material für eine Vielzahl von Quantenanwendungen, wie z.B. Quantensensorik, Quantencomputer oder Quantenkommunikation. Für diese Art von Anwendungen werden die so genannten defektbasierten Farbzentren, deren Spin sich steuern lässt, in SiC erforscht. Jedoch werden die Lumineszenz- oder Spin-Eigenschaften dieser Farbzentren häufig durch schlecht passivierte oder unpassivierte Wirtskristalloberflächen, Oberflächenadsorbate und Oberflächenschädigungen durch die Nanofabrikation verschlechtert. Es wurden in einigen Materialien, insbesondere in Diamant, molekulare Terminierungsverfahren bereits erforscht, um die Oberfläche zu schützen und zu passivieren. Allerdings ist diese Terminierung weder chemisch noch thermisch stabil, was ihr Potenzial für Quantenanwendungen einschränkt, bei denen eine Langzeitstabilität erforderlich ist. Daher ist eine geeignete und langzeitstabile Oberflächenterminierung ein Schlüssel zur Optimierung der optischen und Spin-Eigenschaften von 4H-SiC Quantenbauelementen. Ziel und Inhalt Herstellung und Charakterisierung einer (physikalisch/chemisch) langzeitstabilen Passivierungsschicht auf 4H-SiC. Hierzu werden zur Funktionalisierung der Oberflächen ein Plasmaofen, sowie zur zusätzlichen Stabilisierung der 4H-SiC Oberflächen werden Beschichtungsmethoden wie PECVD und ALD Prozesse im Uni-RR verwendet. Als Beschichtungsmaterialien werden SiN, SiO2, HfOx und Al2O3 angewandt. Im Ausblick: Neben der direkten Charakterisierung der Oberflächeneigenschaften kann nach erfolgreicher Herstellung einer stabilen Passvierungsschicht auch eine Demonstration mittels Messung der Farbzentreneigenschaften an SiC-Chips erfolgen. |
Sarah Saarmann |
Herstellung, Charakterisierung und Bewertung von leitfähigen, aufgedampften Diffusionsbarrieren auf Basis von Titan und Tantal für die Anwendung auf hochtemperatur-kompatiblen Leistungshalbleiterbauelementen (Bachelorarbeit)– Betreuer: Körfer, Julien (FHG-IISB, Tel. 09131 / 761-267 , E-Mail: julien.koerfer@iisb.fraunhofer.de) – Beschreibung: |
reserviert Andreas M. |
Herstellung und Charakterisierung von lateralen Tunneldioden zur Messung der Anisotropie des Tunnelns in 4H-SiC (Bachelorarbeit)– Betreuer: Jan Dick (M. Sc.) – Beschreibung: |
Samuel Friedrich |
Entwicklung eines automatisierten Messplatzes zur Charakterisierung des Schaltverhaltens von Leistungshalbleitern (Bachelorarbeit)– Betreuer: Kist, Tobias (extern) – Beschreibung: |
Andrés Popov |
Assesing the Accuracy and Efficiency of Dr. Litho’s Waveguide Module for Waveguide Applications (Masterarbeit)– Betreuer: PD Dr. rer. nat. Andreas Erdmann – Beschreibung: |
Necdet Basaran |
Temperaturabhängigkeit elektrischer Parameter einer 4H-SiC CMOS-Technologie für Temperaturen bis zu 500 °C (Bachelorarbeit)– Betreuer: Rommel, Mathias (FHG-IISB, Tel. 09131 / 761-108 , E-Mail: mathias.rommel@iisb.fraunhofer.de) – Beschreibung: |
Sylvia Schnid |
Gewinnung und Kalibrierung von TCAD-Simulationsparametern für nicht-lokale Tunnelmodelle für 4H-SiC (Masterarbeit)– Betreuer: Jan Dick (M. Sc.) – Beschreibung: |
Maximilian Ley |
Hochfrequenz-Gehäuse-Design für Qubit Chips bei kryogenen Temperaturen (Masterarbeit)– Betreuer: – Beschreibung: |
Michael Baron |
Designing of an optical path for photoluminescent excitation of V2 color centers in 4H-SiC (Bachelorarbeit)– Betreuer: Es konnte kein Kontakteintrag mit der angegebenen ID 3785 gefunden werden. – Beschreibung: |
Mike Gerd Georg Köstler |
A standalone fiber-based quantum sensor using ensembles of NV-centers in diamond (Masterarbeit)– Betreuer: Es konnte kein Kontakteintrag mit der angegebenen ID 3012 gefunden werden. – Beschreibung: |
Benjamin Pohl |