Saskia Schimmel

Dr.-Ing. Saskia Schimmel

Department Elektrotechnik-Elektronik-Informationstechnik (EEI)
Lehrstuhl für Elektronische Bauelemente

Raum: Raum 1.154
Cauerstraße 6
91058 Erlangen

Publikationen in Zeitschriften mit Peer-Review

2023

2022

2021

2020

2018

2017

2016

2015

2014

2013

2011

Buchkapitel

2021

Poster-Präsentationen

2022

2021

2017

2014

Vorträge

Auszeichnungen

  • : Emerging Talents Initiative (ETI) (Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg) – 2022
  • : IUCr Young Scientist Award (International Union of Crystallography) – 2022
  • : Feodor Lynen Return Fellowship (Alexander von Humboldt-Stiftung) – 2021
  • : Postdoctoral Fellowships for Research in Japan (Standard) (Japan Society for the Promotion of Science (JSPS)) – 2019
  • : ISASF best PhD thesis award (2nd prize) (International Society for Advancement of Supercritical Fluids (ISASF)) – 2019
  • : Promotionsstipendium (1 year) (Erika Giehrl-Stiftung) – 2014
  • : Stipendium für Masterarbeit an der Universität Linköping (Schweden) (German Crystal Growth Association (DGKK)) – 2012
  • : Stipendium für Studiensemester an der Universität Linköping (Schweden) (Prof. Dr.-Ing. Erich Müller-Stiftung) – 2011

Projekte

  • Emmy Noether-Programm „Neue Nitridmaterialien für elektronische Bauelemente“ (1. Förderabschnitt)

    (Drittmittelfinanzierte Einzelförderung)

    Laufzeit: 1. August 2023 - 31. Juli 2026
    Mittelgeber: DFG-Einzelförderung / Emmy-Noether-Programm (EIN-ENP)

    Kernziele des Projektes sind die Entwicklung ausgewählter neuartiger Nitrid-Halbleiter sowie eines vertieften Verständnisses ihrer Herstellung mittels Ammonothermalsynthese. Das Projekt evaluiert die fundamentalen Eigenschaften ausgewählter, bislang wenig erforschter ternärer Nitride im Hinblick auf Anwendungen in elektronischen Bauelementen. Die Herstellung geeigneter Volumenkristalle erfolgt über die ammonothermale Synthese, wobei neben dem Zugang zu ausgewählten Materialien auch ein vertieftes Verständnis der ammonothermalen Synthese und Dotierung binärer und ternärer Nitride erlangt wird. Die exemplarisch untersuchten Nitride sind heteroepitaktisch miteinander integrierbar und ermöglichen perspektivisch neuartige Kombinationen von Materialeigenschaften in elektronischen Bauelementen. Aufbauend auf Vorarbeiten zu GaN wird zunächst das Materialsystem GaN-AlN-AlGaN untersucht. Am Beispiel von AlGaN werden Wege zur gezielten Kristallzüchtung ternärer Nitride über einen Transport in der Lösung erarbeitet. Methoden zur gezielten Dotierung und Kontrolle der Leitfähigkeit bei der ammonothermalen Kristallzüchtung werden am Beispiel von AlN untersucht. Durch Einbau von Silizium bei den durch die Ammonothermalsynthese ermöglichten niedrigen Temperaturen soll die Herstellung leitfähiger AlN-Substrate erschlossen werden. Hierdurch könnten erhebliche Verbesserungen in der Energieeffizienz vertikaler leistungselektronischer Bauelemente möglich werden. Durch Nutzung spezieller Hochdruck-Sichtzellen bestehen einzigartige Möglichkeiten zum in situ Monitoring ammonothermaler Reaktionen. Diese werden genutzt, um das grundlegende Verständnis der in der ammonothermalen Kristallsynthese ablaufenden Prozesse sowohl zu vertiefen (Ga) als auch auf weitere projektrelevante Materialen (Al, Si, Mg, Mn, Zn) zu erweitern. Hierbei werden zugleich die Methoden zur Untersuchung komplexer Systeme weiterentwickelt, konkret durch simultane Messungen mit komplementären Messtechniken (Röntgenabsorption, UV-Vis- und Raman-Spektroskopie). Weiterhin wird untersucht, welche Rolle Druck und Ammoniakdichte für die Kristallisation spielen und inwieweit eine Kristallzüchtung bei deutlich reduziertem Druck möglich ist. Das verbesserte Verständnis der Kristallisation ternärer Nitride sowie ihres Transports in ammonothermalen Fluiden wird im Projekt auf die Kristallisation dreier bislang wenig untersuchter ternärer Nitride der Zusammensetzung II-Si-N2 (II = Mg, Mn, Zn) angewandt. Die Synthese der Materialien in einkristalliner Form mit guter struktureller Qualität ermöglicht eine experimentelle Bestimmung der Volumeneigenschaften. Die verbesserte Kenntnis der Materialeigenschaften wird für eine vertiefte Evaluation des Anwendungspotentials der Materialien in elektronischen Bauelementen genutzt. Dabei erfolgt auch eine erste Evaluation des Anwendungspotentials möglicher epitaktischer Heterostrukturen der im Projekt adressierten Materialien.

  • Hochenergie-Computertomographie zur in situ Beobachtung von im Inneren von Hochdruckbehältern ablaufenden Prozessen – Entwicklung am Beispiel der ammonothermalen Kristallzüchtung von GaN

    (FAU Funds)

    Laufzeit: 15. Januar 2023 - 14. Januar 2024
  • Vorarbeiten zur in situ Beobachtung der ammonothermalen Kristallzüchtung zur Validierung numerischer Simulationen

    (Drittmittelfinanzierte Einzelförderung)

    Laufzeit: 1. August 2021 - 31. Juli 2022
    Mittelgeber: Alexander von Humboldt-Stiftung
  • Ammonothermale Kristallzüchtung von GaN Volumenkristallen geringer Versetzungsdichte und hoher Reinheit für leistungselektronische Bauelemente

    (FAU-externes Projekt)

    Laufzeit: 31. Mai 2019 - 30. Mai 2021
    Mittelgeber: andere Förderorganisation

Weitere Informationen finden Sie z.B. unter: ORCiD, Scopus, ResearchGate, Google Scholar, LinkedIn, Nitrid-Halbleiter (AG Schimmel)