Nano CMOS & Bipolarbauelemente

Beschreibung des Forschungsbereiches "Nano CMOS & Bipolarbauelemente"

Projekte:

Herstellung und Charakterisierung von SiGeSn-„Pillar“-MOSFETs

Das
Forschungsthema wird im Rahmen eines LEB-Promotionsvorhabens bearbeitet.

In dieser Arbeit sollen Feldeffekttransistoren aus SiGeSn hergestellt werden. Dabei sollen auch Tunnel-FETs in Form von Nanodrähten realisiert werden. 

Herstellung und Charakterisierung von SiGeSn-„Pillar“-MOSFETs

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