Nano CMOS & Bipolarbauelemente
Beschreibung des Forschungsbereiches "Nano CMOS & Bipolarbauelemente"
Projekte:
Herstellung und Charakterisierung von SiGeSn-„Pillar“-MOSFETs
Das
Forschungsthema wird im Rahmen eines LEB-Promotionsvorhabens bearbeitet.
In dieser Arbeit sollen Feldeffekttransistoren aus SiGeSn hergestellt werden. Dabei sollen auch Tunnel-FETs in Form von Nanodrähten realisiert werden.
Herstellung und Charakterisierung von SiGeSn-„Pillar“-MOSFETs