• Navigation überspringen
  • Zur Navigation
  • Zum Seitenende
Organisationsmenü öffnen Organisationsmenü schließen
Logo Lehrstuhl Elektronische Bauelemente
  • FAUZur zentralen FAU Website
  1. Friedrich-Alexander-Universität
  2. Technische Fakultät
  3. Department Elektrotechnik-Elektronik-Informationstechnik
Suche öffnen
  • en
  • de
  • Department EEI
  • UnivIS
  • StudOn
  1. Friedrich-Alexander-Universität
  2. Technische Fakultät
  3. Department Elektrotechnik-Elektronik-Informationstechnik

Logo Lehrstuhl Elektronische Bauelemente

Menu Menu schließen
  • Lehrstuhl
    • Team
    • Historie
    • Ausstattung
    • Dissertationen
    Portal Lehrstuhl
  • Forschung
    • Halbleiterbauelemente (AG Schulze)
    • Nitrid-Halbleiter (AG Schimmel)
    • Publikationen
    Portal Forschung
  • Lehre
    • Vorlesungen
    • Praktika
    • Seminare
    • Studentische Arbeiten
    Portal Lehre
  • Reinraumlabor
    • Bedeutung
    • Ausstattung
    • Daten & Fakten
    Portal Reinraumlabor
  • µe-bauhaus erlangen-nürnberg
    • Auf einen Blick
    • Hintergrund
    • Manifest des µe-bauhaus erlangen-nürnberg
    Portal µe-bauhaus erlangen-nürnberg
  1. Startseite
  2. Forschung
  3. Halbleiterbauelemente (AG Schulze)
  4. Leistungshalbleiterbauelemente
  5. Kristallzüchtung von Nitrid-Einkristallen mit hoher Reinheit

Kristallzüchtung von Nitrid-Einkristallen mit hoher Reinheit

Bereichsnavigation: Forschung
  • Halbleiterbauelemente (AG Schulze)
    • Halbleitermaterialsynthese & Prozesstechnologie
    • Quantenbauelemente
    • Photonische Bauelemente
    • Flexible Elektronik
    • Nano CMOS & Bipolarbauelemente
    • Leistungshalbleiterbauelemente
      • Ladungskompensation in 4H-Siliciumkarbid - Simulation, Modellbildung und experimentelle Verifizierung
      • SiC-BIFET: Untersuchungen zu bipolaren SiC-Feldeffekttransistoren für das Mittelspannungsnetz
      • Entwicklung von Halbleiter-Sensoren auf Siliziumkarbid
      • Kristallzüchtung von Nitrid-Einkristallen mit hoher Reinheit
  • Nitrid-Halbleiter (AG Schimmel)
  • Publikationen

Kristallzüchtung von Nitrid-Einkristallen mit hoher Reinheit

Kristallzüchtung von Nitrid-Einkristallen mit hoher Reinheit

(Drittmittelfinanzierte Gruppenförderung – Teilprojekt)

Titel des Gesamtprojektes: FOR 1600: Chemie und Technologie der Ammonothermal-Synthese von Nitriden
Projektleitung: Lothar Frey
Projektbeteiligte: Jürgen Erlekampf, Martina Koch, Dietmar Jockel, Elke Meißner
Projektstart: 1. September 2011
Projektende: 31. Dezember 2014
Akronym: FOR 1600
Mittelgeber: DFG / Forschungsgruppe (FOR)
URL: https://www.fau.de/forschung/forschungseinrichtungen/dfg-einrichtungen/forschergruppen/

Abstract

Das Projekt befasst sich in der zweiten Antragsperiode mit dem Ausbau und der Weiterentwicklung des ammonosauren bzw. -basischen Basisprozess für die Züchtung von größeren Nitrid-Einkristallen. In diesem Zusammenhang sollen nun auch die Ergebnisse der anderen Teilprojekte auf die Basisprozesse angewendet werden, um optimale Bedingungen nach den neuesten Erkenntnissen herzustellen und ein ganzheitliches Bild der Vorgänge während der Züchtung zu erhalten. Es werden die Quellen und der Transport unerwünschter Verunreinigungen erfasst und deren Einbau in den Festkörper in Abhängigkeit von Prozessparametern und eingestellten Chemismus des Züchtungssystems untersucht. Begleitend zu den experimentellen Arbeiten werden die Strömungsmuster und der Einfluss von Prozessparameter auf Temperatur- und Strömungsverteilung mit Hilfe von 3D­ Simulationen weiter untersucht, um bisher in der Literatur nicht berücksichtigte Effekte einzubeziehen. Zusätzlich soll ein chemisches Modell des ammonothermalen Systems entwickelt werden, welches bisher nicht berücksichtigte Punkte wie z . B. Rücktransport des Mineralisators, Verteilung und Transport chemischer Spezies, betrachtet. Ein solches Modell liegt bisher nicht vor.Im weiteren Verlauf des Projekts sollen die bisher gewonnen Erkenntnisse über die Ammonotherma lsynthese auf neue funktionale Nitride übertragen werden . Erste Untersuchungen zu geeigneten Modellverbindungen durch das TP 1, zeigten , dass vor allem Nitride mit Wurtzitstruktur für eine ammonothermale Synthese in Frage kommen. Basierend auf den Experimenten und Untersuchungen durch die Teilprojekte 1 und 2 hinsichtlich der bei der Synthese auftretenden lntermediate und möglicher Mineralisatoren, wird die Züchtung der Halbleitermaterialien lnN und Zn3N2 und den ternären Zink-IV-Nitriden wie ZnSiN2 , ZnGeN2 und ZnSnN 2 angegangen. Diese ternären Materialien konnten bisher noch nicht als Massivmaterial gezüchtet werden, besitzen allerdings aufgrund ihrer möglichen Verwendung als Ersatzmaterialien für GaN, lnN und AIN ein großes Potential. Im Rahmen des Projekts würde damit ein gänzlich neues Materialsystem erschlossen werden können.

http://www.ammono-for.de/

Publikationen

  • Erlekampf J., Seebeck J., Savva P., Meissner E., Friedrich J., Alt N., Schlücker E., Frey L.:
    Numerical time-dependent 3D simulation of flow pattern and heat distribution in an ammonothermal system with various baffle shapes
    In: Journal of Crystal Growth 403 (2014), S. 96-104
    ISSN: 0022-0248
    DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2014.06.007
  • Alt NS., Meissner E., Schlücker E., Frey L.:
    In situ monitoring technologies for ammonthermal reactors
    In: Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics 9 (2012), S. 436-439
    ISSN: 1862-6351
    DOI: 10.1002/pssc.201100361

Lehrstuhl für Elektronische Bauelemente
FAU Erlangen-Nürnberg

Cauerstr. 6
91058 Erlangen
  • Impressum
  • Datenschutz
  • Barrierefreiheit
  • Facebook
  • RSS Feed
  • Twitter
  • Xing
Nach oben