- BA: Herstellung und Charakterisierung von NbN Dünnschicht Abscheidung mittels IBADreserviert Atakan Y. — Seit einiger Zeit beschäftigt sich der Lehrstuhl für Elektronische Bauelemente bereits mit dem innovativen Themenfeld der Quantenbauelemente und der Prozessintegration für quanten-elektronische Anwendungen. Dabei liegt der Fokus darauf, das Halbleitermaterial SiC im Bereich Quanten-Computing zu nutzen und SiC-Qubits in Bauelemente zu integrieren. Dabei werden die quantenelektronischen Eigenschaften von Punktdefekten, sogenannten Farbzentren,… BA: Herstellung und Charakterisierung von NbN Dünnschicht Abscheidung mittels IBAD weiterlesen
- MA: A model of a multi-zone furnace for ammonothermal crystal growth – comparative analysis and experimental validation of implementations in Ansys Fluent and CrysMASDhruval Bipinbhai Bhandari – This thesis develops a validated multi-zone furnace model for ammonothermal crystal growth and presents a comparative analysis of implementations in CrysMAS and Ansys Fluent. The following approaches will be investigated to take advantage of the complementary capabilities of the two softwares (CrysMAS does not allow different mesh parameters in separate fluid… MA: A model of a multi-zone furnace for ammonothermal crystal growth – comparative analysis and experimental validation of implementations in Ansys Fluent and CrysMAS weiterlesen
- MA: Ni-Si and Multilayer Metallization Schemes for Rapid Thermal Annealed Ohmic Contacts to 4H-SiCLutz Hager – This thesis focuses on adapting and optimizing a novel fabrication process for ohmic contacts on 4H-Silicon Carbide (4H-SiC) devices, leveraging the advanced manufacturing capabilities at the Fraunhofer Institute and the Chair of Electron Devices. The primary objective is to optimize the established Ni-based n-type contacts by introducing Silicon interlayers. This method addresses… MA: Ni-Si and Multilayer Metallization Schemes for Rapid Thermal Annealed Ohmic Contacts to 4H-SiC weiterlesen
- MA: Simulationsgestützte Anaylse von Fehlereinflüssen bei der Charakterisierung ohmscher Kontakte auf 4H-SiC mittels CBKR-TeststrukturenFabian Schellenberger — Art der Arbeit: Masterarbeit — Status: laufend — Kontakt: Ley, Maximilian (IISB, maximilian.ley@iisb.fraunhofer.de) Rommel, Mathias (IISB, mathias.rommel@iisb.fraunhofer.de)
- BA: Simulation und Kalibrierung von TLM-Teststrukturen zur präzisen Charakterisierung von ohmschen Kontakten auf p-dotiertem 4H-SiCLukas Regler — Art der Arbeit: Bachelorarbeit — Status: laufend — Kontakt: Ley, Maximilian (IISB, maximilian.ley@iisb.fraunhofer.de)
- BA: Optimierung von Abkühlprozessen in der KristallzüchtungDaniel-Sebastian Nastasa — Art der Arbeit: Bachelorarbeit — Status: laufend — Kontakt: Zenk, Markus (IISB, markus.zenk@iisb.fraunhofer.de)
- MA: Elektrische Charakterisierung und vergleichende Analyse von MAGFET-Designs in einer 4H-SiC-CMOS-TechnologiePedram Sarmadi — Art der Arbeit: Masterarbeit — Status: laufend — Kontakt: Schraml, Michael (IISB, michael.schraml@iisb.fraunhofer.de)
- MA: Investigation of correlations between process data, test structure properties and device caracteristics of MOSFETs via machine learning modelsZhifeng Huang — Art der Arbeit: Masterarbeit — Status: laufend — Kontakt: Rommel, Mathias (IISB, mathias.rommel@iisb.fraunhofer.de)
- BA: Evaluation der Konduktanz-Methode zur Bestimmung der Grenzflächenzustandsdichten von 4H-SiC-basierten MOS-StrukturenLukas Fehler — Art der Arbeit: Bachelorarbeit — Status: laufend — Kontakt: Rommel, Mathias (IISB, mathias.rommel@iisb.fraunhofer.de)