Beschreibung
Silizium Carbid (SiC) eignet sich u.a. wegen seiner großen Bandlücke außerordentlich gut für die Herstellung von elektrischen Bauelementen (z.B. Dioden, Transistoren und Sensoren) für den Einsatz in leistungselektronischen Anwendungen und den Betrieb in beanspruchenden Umgebungen (z...
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Nitrid-Halbleiter als Halbleiter großer Bandlücke spielen eine immer stärkere Rolle als Substratmaterial für Bauelemente (z.B. Dioden, Transistoren) in leistungselektronischen Anwendungen, die mit gängigen Materialien (z.B. Silizium) nicht erschlossen werden können. Die ammonotherma...
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Genaue Abstimmung des Themas erfolgt nach Rücksprache mit dem Kandidaten
Ziele der Arbeit
Bestimmung des spezifischen Widerstands ρ_C des p- und n- Kontaktes auf 4H-SiC
Eine bessere Charakterisierung der Eigenschaften des Kontaktes durch Teststrukturen (z.B. TLM – Transfer...
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SRAM is vital in modern hardware and custom accelerators because it delivers nanosecond-scale speed and predictable timing, acting as essential high-speed cache to prevent processors from stalling. Crucially, it’s power-efficient and integrates directly on-chip, minimizing costly of...
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Seit einigen Jahren beschäftigt sich der Lehrstuhl für Elektronische Bauelemente mit dem innovativen Themenfeld der Quantenbauelemente und der Prozessintegration für quantenelektronische Anwendungen. Dabei liegt der Fokus darauf, das Halbleitermaterial SiC im Bereich Quanten-Computi...
