Studentische Arbeiten

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21APR. 2026
Laufende studentische Arbeiten
MA: Temperature-Dependent In-Situ UV/VIS Study of GaN Dissolution in Supercritical Ammonia under ammonobasic conditions
Manan Rupesh Nandwana — Gallium nitride (GaN) is a wide-band-gap semiconductor foundational to modern high-power and optoelectronic technologies owing to its excellent electronic and thermal properties. Producing large, high-quality GaN crystals remains challenging because the compound decomposes before melting under ambient pressure. The ammonothermal method, which uses supercritical ammonia with mineralizers such as Ammonium halides […]Manan Rupesh Nandwana — Gallium nitride (GaN) is a wide-band-gap semiconductor foundational to modern high-power and optoelectronic technologies owing to its excellent electronic and thermal properties. Producing large, high-quality GaN crystals remains challenging because the compound decomposes before melting under ambient pressure. The ammonothermal method, which uses supercritical ammonia with mineralizers such as Ammonium halides […]
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16APR. 2026
Offene studentische Arbeiten
BA/MA: Simulation von GaN-basierten Strahlungsdetektoren mit TCAD Sentaurus
— Abstract Strahlungsdetektoren haben ein breites Anwendungsspektrum, etwa in Medizintechnik, Materialanalyse und Sicherheitskontrolle. Galliumnitrid (GaN) zeigt großes Potenzial als Material für empfindliche und schnell Strahlungsdetektoren. In dieser Abschlussarbeit (Bachelor/Master) sollen mit TCAD Sentaurus verschiedene GaN-Detektorstrukturen simuliert, von 1D bis 2D, ihre elektrischen und detektorphysikalischen Eigenschaften untersucht und – sofern vorhanden – mit experimentellen Messdaten verglichen […]— Abstract Strahlungsdetektoren haben ein breites Anwendungsspektrum, etwa in Medizintechnik, Materialanalyse und Sicherheitskontrolle. Galliumnitrid (GaN) zeigt großes Potenzial als Material für empfindliche und schnell Strahlungsdetektoren. In dieser Abschlussarbeit (Bachelor/Master) sollen mit TCAD Sentaurus verschiedene GaN-Detektorstrukturen simuliert, von 1D bis 2D, ihre elektrischen und detektorphysikalischen Eigenschaften untersucht und – sofern vorhanden – mit experimentellen Messdaten verglichen […]
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16APR. 2026
Laufende studentische Arbeiten
FA: Simulativ unterstütze Optimierung der Strukturparameter eines monolithisch integrierten Circuit Breakers
Simon Küppers — Die Zielsetzung dieses Forschungspraktikums ist die gezielte Optimierung zentraler Strukturparameter des sogenannten Inversen Thyristors (iT), um dessen elektrische Eigenschaften zu verbessern. Der iT ist ein monolithisch in 4H-SiC integrierter Überstromschutzschalter, der insbesondere für DC-Anwendungen mit hohen Netzspannungen von bis zu 900 V vorgesehen ist. Aufgrund der hohen Integrationsdichte bestehen komplexe Wechselwirkungen zwischen […]Simon Küppers — Die Zielsetzung dieses Forschungspraktikums ist die gezielte Optimierung zentraler Strukturparameter des sogenannten Inversen Thyristors (iT), um dessen elektrische Eigenschaften zu verbessern. Der iT ist ein monolithisch in 4H-SiC integrierter Überstromschutzschalter, der insbesondere für DC-Anwendungen mit hohen Netzspannungen von bis zu 900 V vorgesehen ist. Aufgrund der hohen Integrationsdichte bestehen komplexe Wechselwirkungen zwischen […]
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14APR. 2026
Laufende studentische Arbeiten
BA: Systematische Analyse spezifischer Kontaktwiderstände durch die Verknüpfung von Prozessparametern und elektrischen Teststrukturmessungen
reserviert H.-R. A. — Diese Bachelorarbeit befasst sich mit der Entwicklung einer Datenbankstruktur zur Integration heterogener elektrischer Messdaten (Excel, TXT, CSV), um die systemische Vergleichbarkeit von Teststrukturdesigns- und Widerstandsmessungen bei der p- und n-Ohmkontaktbildung für 4H-SiC zu ermöglichen. Die wissenschaftliche Kernleistung liegt in der datengestützten Identifikation und Visualisierung von Korrelationen zwischen Prozessparametern und spezifischem Kontaktwiderstand […]reserviert H.-R. A. — Diese Bachelorarbeit befasst sich mit der Entwicklung einer Datenbankstruktur zur Integration heterogener elektrischer Messdaten (Excel, TXT, CSV), um die systemische Vergleichbarkeit von Teststrukturdesigns- und Widerstandsmessungen bei der p- und n-Ohmkontaktbildung für 4H-SiC zu ermöglichen. Die wissenschaftliche Kernleistung liegt in der datengestützten Identifikation und Visualisierung von Korrelationen zwischen Prozessparametern und spezifischem Kontaktwiderstand […]
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07APR. 2026
Abgeschlossen 2026
BA: Evaluation der Konduktanz-Methode zur Bestimmung der Grenzflächenzustandsdichten von 4H-SiC-basierten MOS-Strukturen
Lukas Fehler — Ziel dieser Arbeit war die Evaluation der Konduktanz-Methode mit dem Keysight E4980A Precision LCR Meter zur Bestimmung der Grenzflächenzustandsdichte in 4H-SiC-basierten MOS-Strukturen. Hierfür wurden n-typ dotierte 4H-SiC-basierte MOS-Kondensatoren mit einer 55 nm dicken SiO2-Schicht sowohl mit der Konduktanz-Methode als auch mit der Hochfrequenz-Kapazitätsmethode, oder auch als Terman-Methode bekannt, bei Raumtemperatur von 300 […]Lukas Fehler — Ziel dieser Arbeit war die Evaluation der Konduktanz-Methode mit dem Keysight E4980A Precision LCR Meter zur Bestimmung der Grenzflächenzustandsdichte in 4H-SiC-basierten MOS-Strukturen. Hierfür wurden n-typ dotierte 4H-SiC-basierte MOS-Kondensatoren mit einer 55 nm dicken SiO2-Schicht sowohl mit der Konduktanz-Methode als auch mit der Hochfrequenz-Kapazitätsmethode, oder auch als Terman-Methode bekannt, bei Raumtemperatur von 300 […]
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07APR. 2026
Laufende studentische Arbeiten
BA: Herstellung und Charakterisierung von NbN Dünnschicht Abscheidung mittels IBAD
Atakan Yolcular — Seit einiger Zeit beschäftigt sich der Lehrstuhl für Elektronische Bauelemente bereits mit dem innovativen Themenfeld der Quantenbauelemente und der Prozessintegration für quanten-elektronische Anwendungen. Dabei liegt der Fokus darauf, das Halbleitermaterial SiC im Bereich Quanten-Computing zu nutzen und SiC-Qubits in Bauelemente zu integrieren. Dabei werden die quantenelektronischen Eigenschaften von Punktdefekten, sogenannten Farbzentren, im […]Atakan Yolcular — Seit einiger Zeit beschäftigt sich der Lehrstuhl für Elektronische Bauelemente bereits mit dem innovativen Themenfeld der Quantenbauelemente und der Prozessintegration für quanten-elektronische Anwendungen. Dabei liegt der Fokus darauf, das Halbleitermaterial SiC im Bereich Quanten-Computing zu nutzen und SiC-Qubits in Bauelemente zu integrieren. Dabei werden die quantenelektronischen Eigenschaften von Punktdefekten, sogenannten Farbzentren, im […]
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