Abgeschlossen 2026MA: Elektrische Charakterisierung und vergleichende Analyse von MAGFET-Designs in einer 4H-SiC-CMOS-Technologie
Pedram Sarmadi — Diese Arbeit untersucht n- und p-Typ Split-Drain-MAGFETs, die in einer 4H-SiC CMOS-Technologie des Fraunhofer IISB gefertigt wurden. Ziel ist die quantitative Bewertung zentraler Sensorkennwerte unter Variation der Kanalgeometrie, der elektrischen Bias-Bedingungen. Die Analyse umfasst den Betrieb ohne Magnetfeld, unter einem statischen Permanentmagnetfeld sowie nach thermischer Belastung bis 400 °C.Für alle Bauelemente werden […]Pedram Sarmadi — Diese Arbeit untersucht n- und p-Typ Split-Drain-MAGFETs, die in einer 4H-SiC CMOS-Technologie des Fraunhofer IISB gefertigt wurden. Ziel ist die quantitative Bewertung zentraler Sensorkennwerte unter Variation der Kanalgeometrie, der elektrischen Bias-Bedingungen. Die Analyse umfasst den Betrieb ohne Magnetfeld, unter einem statischen Permanentmagnetfeld sowie nach thermischer Belastung bis 400 °C.Für alle Bauelemente werden […]
