Studentische Arbeiten

Durchsuchen Sie alle Beiträge in der Kategorie Studentische Arbeiten.

13 bis 18 von 84

07APR. 2026
Abgeschlossen 2026
BA: Evaluation der Konduktanz-Methode zur Bestimmung der Grenzflächenzustandsdichten von 4H-SiC-basierten MOS-Strukturen
Lukas Fehler — Ziel dieser Arbeit war die Evaluation der Konduktanz-Methode mit dem Keysight E4980A Precision LCR Meter zur Bestimmung der Grenzflächenzustandsdichte in 4H-SiC-basierten MOS-Strukturen. Hierfür wurden n-typ dotierte 4H-SiC-basierte MOS-Kondensatoren mit einer 55 nm dicken SiO2-Schicht sowohl mit der Konduktanz-Methode als auch mit der Hochfrequenz-Kapazitätsmethode, oder auch als Terman-Methode bekannt, bei Raumtemperatur von 300 […]Lukas Fehler — Ziel dieser Arbeit war die Evaluation der Konduktanz-Methode mit dem Keysight E4980A Precision LCR Meter zur Bestimmung der Grenzflächenzustandsdichte in 4H-SiC-basierten MOS-Strukturen. Hierfür wurden n-typ dotierte 4H-SiC-basierte MOS-Kondensatoren mit einer 55 nm dicken SiO2-Schicht sowohl mit der Konduktanz-Methode als auch mit der Hochfrequenz-Kapazitätsmethode, oder auch als Terman-Methode bekannt, bei Raumtemperatur von 300 […]
Mehr lesen über BA: Evaluation der Konduktanz-Methode zur Bestimmung der Grenzflächenzustandsdichten von 4H-SiC-basierten MOS-Strukturen
07APR. 2026
Laufende studentische Arbeiten
BA: Herstellung und Charakterisierung von NbN Dünnschicht Abscheidung mittels IBAD
Atakan Yolcular — Seit einiger Zeit beschäftigt sich der Lehrstuhl für Elektronische Bauelemente bereits mit dem innovativen Themenfeld der Quantenbauelemente und der Prozessintegration für quanten-elektronische Anwendungen. Dabei liegt der Fokus darauf, das Halbleitermaterial SiC im Bereich Quanten-Computing zu nutzen und SiC-Qubits in Bauelemente zu integrieren. Dabei werden die quantenelektronischen Eigenschaften von Punktdefekten, sogenannten Farbzentren, im […]Atakan Yolcular — Seit einiger Zeit beschäftigt sich der Lehrstuhl für Elektronische Bauelemente bereits mit dem innovativen Themenfeld der Quantenbauelemente und der Prozessintegration für quanten-elektronische Anwendungen. Dabei liegt der Fokus darauf, das Halbleitermaterial SiC im Bereich Quanten-Computing zu nutzen und SiC-Qubits in Bauelemente zu integrieren. Dabei werden die quantenelektronischen Eigenschaften von Punktdefekten, sogenannten Farbzentren, im […]
Mehr lesen über BA: Herstellung und Charakterisierung von NbN Dünnschicht Abscheidung mittels IBAD
01APR. 2026
Abgeschlossen 2026
MA: Simulationsgestützte Anaylse von Fehlereinflüssen bei der Charakterisierung ohmscher Kontakte auf 4H-SiC mittels CBKR-Teststrukturen
Fabian Schellenberger — In dieser Arbeit wird die Kelvinkreuzteststruktur (CBKR, engl. Cross-Bridge Kelvin resistor) zur Messung des spezifischen Kontaktwiderstands 𝜌c auf 4H-SiC untersucht. Die systematischen Fehler, die bei Messungen mit dieser Teststruktur einhergehen, werden durch eine simulative Analyse untersucht. Auf diese Weise werden Entwurfskriterien gewonnen, welche eine bessere Auslegung von CBKRs ermöglichen.Die CBKR ist eine […]Fabian Schellenberger — In dieser Arbeit wird die Kelvinkreuzteststruktur (CBKR, engl. Cross-Bridge Kelvin resistor) zur Messung des spezifischen Kontaktwiderstands 𝜌c auf 4H-SiC untersucht. Die systematischen Fehler, die bei Messungen mit dieser Teststruktur einhergehen, werden durch eine simulative Analyse untersucht. Auf diese Weise werden Entwurfskriterien gewonnen, welche eine bessere Auslegung von CBKRs ermöglichen.Die CBKR ist eine […]
Mehr lesen über MA: Simulationsgestützte Anaylse von Fehlereinflüssen bei der Charakterisierung ohmscher Kontakte auf 4H-SiC mittels CBKR-Teststrukturen
01APR. 2026
Offene studentische Arbeiten
MA: Edge Termination in Superjunction
Kurzbeschreibung Superjunction-Bauelemente haben bereits in Silizium-Technologien gezeigt, dass die bisherige „Silizium-Grenze“ überschritten werden kann. Sie ermöglichen eine kleinere Chipfläche pro Bauteil und/oder eine Reduktion des Einschaltwiderstands im Vergleich zu konventionellen Designs bei gleicher Auslegungsspannung. Die Industrie bewegt sich für Hochspannungsanwendungen zunehmend in Richtung Siliziumkarbid (SiC). Aufgrund der Ähnlichkeiten zwischen beiden Technologien ist zu erwarten, dass […]Kurzbeschreibung Superjunction-Bauelemente haben bereits in Silizium-Technologien gezeigt, dass die bisherige „Silizium-Grenze“ überschritten werden kann. Sie ermöglichen eine kleinere Chipfläche pro Bauteil und/oder eine Reduktion des Einschaltwiderstands im Vergleich zu konventionellen Designs bei gleicher Auslegungsspannung. Die Industrie bewegt sich für Hochspannungsanwendungen zunehmend in Richtung Siliziumkarbid (SiC). Aufgrund der Ähnlichkeiten zwischen beiden Technologien ist zu erwarten, dass […]
Mehr lesen über MA: Edge Termination in Superjunction
01APR. 2026
Laufende studentische Arbeiten
MA: Optimierung der Dynamik von Superjunction-MOSFETs
Student: Vishvas Nanjunda Swamy Kurzbeschreibung Superjunction-Bauelemente haben bereits in Silizium-Technologien gezeigt, dass die bisherige „Silizium-Grenze“ überschritten werden kann. Sie ermöglichen eine kleinere Chipfläche pro Bauteil und/oder eine Reduktion des Einschaltwiderstands im Vergleich zu konventionellen Designs bei gleicher Auslegungsspannung. Die Industrie orientiert sich für Hochspannungsanwendungen zunehmend in Richtung Siliziumkarbid (SiC). Aufgrund der Ähnlichkeiten zwischen beiden Technologien […]Student: Vishvas Nanjunda Swamy Kurzbeschreibung Superjunction-Bauelemente haben bereits in Silizium-Technologien gezeigt, dass die bisherige „Silizium-Grenze“ überschritten werden kann. Sie ermöglichen eine kleinere Chipfläche pro Bauteil und/oder eine Reduktion des Einschaltwiderstands im Vergleich zu konventionellen Designs bei gleicher Auslegungsspannung. Die Industrie orientiert sich für Hochspannungsanwendungen zunehmend in Richtung Siliziumkarbid (SiC). Aufgrund der Ähnlichkeiten zwischen beiden Technologien […]
Mehr lesen über MA: Optimierung der Dynamik von Superjunction-MOSFETs
01APR. 2026
Laufende studentische Arbeiten
FA: Development and Experimental Validation of a 2D Thermo-Mechanical Model for High Pressure Optical Cell Windows under Sequential Assembly, Ammonia Filling, and Ammonothermal Ramp-Up Conditions
Nimmi Thara Beena — Gallium nitride (GaN) has emerged as a cornerstone material in modern electronics with its ability to operate at high voltages, frequencies, and temperatures. Its superior energy efficiency and compactness drive advancements in energy-efficient and high-performance technologies, e.g., power converters and electric vehicles.Optical cells enable valuable insights with respect to reaction kinetics, […]Nimmi Thara Beena — Gallium nitride (GaN) has emerged as a cornerstone material in modern electronics with its ability to operate at high voltages, frequencies, and temperatures. Its superior energy efficiency and compactness drive advancements in energy-efficient and high-performance technologies, e.g., power converters and electric vehicles.Optical cells enable valuable insights with respect to reaction kinetics, […]
Mehr lesen über FA: Development and Experimental Validation of a 2D Thermo-Mechanical Model for High Pressure Optical Cell Windows under Sequential Assembly, Ammonia Filling, and Ammonothermal Ramp-Up Conditions