Abgeschlossen 2026MA: Simulationsgestützte Anaylse von Fehlereinflüssen bei der Charakterisierung ohmscher Kontakte auf 4H-SiC mittels CBKR-Teststrukturen
Fabian Schellenberger — In dieser Arbeit wird die Kelvinkreuzteststruktur (CBKR, engl. Cross-Bridge Kelvin resistor) zur Messung des spezifischen Kontaktwiderstands 𝜌c auf 4H-SiC untersucht. Die systematischen Fehler, die bei Messungen mit dieser Teststruktur einhergehen, werden durch eine simulative Analyse untersucht. Auf diese Weise werden Entwurfskriterien gewonnen, welche eine bessere Auslegung von CBKRs ermöglichen.Die CBKR ist eine […]Fabian Schellenberger — In dieser Arbeit wird die Kelvinkreuzteststruktur (CBKR, engl. Cross-Bridge Kelvin resistor) zur Messung des spezifischen Kontaktwiderstands 𝜌c auf 4H-SiC untersucht. Die systematischen Fehler, die bei Messungen mit dieser Teststruktur einhergehen, werden durch eine simulative Analyse untersucht. Auf diese Weise werden Entwurfskriterien gewonnen, welche eine bessere Auslegung von CBKRs ermöglichen.Die CBKR ist eine […]
