Stelle Wissenschaftliche(r) Mitarbeiter(in) (TVL 13) – Prozessintegration: Siliziumkarbid für Quantenelektronik/SiC-Qubits

Der Lehrstuhl für Elektronische Bauelemente sucht eine/n engagierte/n wissenschaftliche/n Mitarbeiter/in für den innovativen Forschungsbereich der Quantenelektronik und Quantenbauelemente.

Der Lehrstuhl für Elektronische Bauelemente befasst sich u.a. mit der angewandten Forschung in den Bereichen Technologie und Fertigung elektronischer Bauelemente auf Basis des Halbleiters Siliziumkarbid (SiC). Forschungsschwerpunkte des Lehrstuhls liegen bei der Entwicklung, Charakterisierung und Simulation neuer Herstellungsverfahren und Bauelemente sowie bei der Entwicklung und Optimierung von Anlagen und Materialien für die Mikro- und Nanoelektronik.

Seit 2020 beschäftigen sich Wissenschaftler des Lehrstuhls mit dem innovativen Themenfeld der Quantenbauelemente und der Prozessintegration für quanten-elektronische Anwendungen. Dabei liegt der Fokus darauf, das in der Mikroelektronik bekannte und geschätzte Halbleitermaterial SiC im Bereich des Quanten-Computings zu nutzen und SiC-Qubits in Bauelemente zu integrieren. Dabei werden in der Mikroelektronik genutzte Prozessabläufe und Fabrikationsmethoden an die Anforderungen der Quanten-Anwendungen angepasst und weiterentwickelt. Das neuartige Forschungsgebiet stößt dabei auf technologische Grenzen, die es zu überwinden gilt, sowie auf spannende physikalische Fragestellungen hinsichtlich Optik, Photonik und Elektronik unter extremen Umgebungsbedingungen.

Das Aufgabengebiet des Stelleninhabers/der Stelleninhaberin umfasst u.a.:

• Technisch-wissenschaftliche Bearbeitung eines Forschungsprojekts gefördert von der Deutschen Forschungsgesellschaft (DFG) zur Entwicklung von SiC-Qubits, beinhaltend:
  • Entwicklung geeigneter Prozesse im Reinraum der Universität zur Herstellung und Integration von Quanten-Bauelementen. Hierbei sind die Prozessabläufe an für SiC standardisierte Fabrikationsrichtlinien anzulehnen, um den Vorteil der etablierten Fertigungslinie des FAU-Reinraums zu nutzen. Eine Herausforderung wird dabei sein, SiC-Qubits nicht auf der für Leistungsbauelemente üblicherweise genutzten c-Ebene des SiC-Halbleiterkristalls, sondern auf der kristallinen a-Ebene zu prozessieren.
  • Optimierung von Bauelementedesigns, ggf. unter Verwendung der Simulationssoftware Technology Computer-Aided Design (TCAD)
  • Elektrische Charakterisierung von Teststrukturen und Bauelementen unter kryogenen Temperaturen
  • Optische Charakterisierung von Bauelementen mittels Photolumineszenz/ODMR
• Berichterstellung und Präsentation von Ergebnissen in Projekttreffen sowie auf nationalen und internationalen Konferenzen

Notwendige Qualifikation:

• Abgeschlossenes Hochschulstudium aus dem Bereich Physik, Nanotechnologie, Werkstoffwissenschaften, Elektrotechnik, Elektronik, Informationstechnik oder Mechatronik bzw. einer vergleichbaren Fachrichtung
• Selbständige Arbeitsweise, Eigeninitiative, Teamfähigkeit
• Kenntnisse über die Funktionsweise und Herstellung von Halbleiterbauelementen

Wünschenswerte Qualifikation:

• Erfahrungen im Bereich elektrischer und optischer Messtechnik
• Erfahrungen mit der Arbeit in Reinraumlaboren
• Programmierkenntnisse zur Datenauswertung

Frühester Einstellungstermin:

• 15.04.2024

Art der Anstellung:

• Vollzeit, befristet

Ihre aussagekräftige Bewerbung oder Fragen zu diesem Stellenangebot richten Sie bitte an:
Dr. Julietta Förthner
Lehrstuhl für Elektronische Bauelemente
Universität Erlangen
Cauerstraße 6
91058 Erlangen

09131/761-275
julietta.foerthner@fau.de

Schwerbehinderte werden bei gleicher Eignung bevorzugt berücksichtigt.
Die Universität Erlangen-Nürnberg strebt eine Erhöhung des Anteils von Frauen in Forschung und Lehre an und bittet deshalb Wissenschaftlerinnen nachdrücklich um ihre Bewerbung.