Elena Hobbacher ---
Seit einigen Jahren beschäftigt sich der Lehrstuhl mit dem innovativen Themenfeld der Quantenbauelemente und der Prozessintegration für quanten-elektronische Anwendungen. Dabei liegt der Fokus darauf, das Halbleitermaterial SiC im Bereich Quanten-Computing zu nutzen und SiC-Q...
Das Halbleitermaterial Galliumnitrid (GaN) spielt auf Grund seiner großen Bandlücke eine zunehmend wichtige Rolle als Basismaterial für leistungselektronische Bauelemente wie zum Beispiel Transistoren. Entscheidend für die Abscheidung dazu notwendiger, funktionaler Bauelementschichten ist ein quali...
Beschreibung
Silizium Carbid (SiC) eignet sich u.a. wegen seiner großen Bandlücke außerordentlich gut für die Herstellung von elektrischen Bauelementen (z.B. Dioden, Transistoren und Sensoren) für den Einsatz in leistungselektronischen Anwendungen und den Betrieb in beanspruchenden Umgebungen (z...
Beschreibung
Nitrid-Halbleiter als Halbleiter großer Bandlücke spielen eine immer stärkere Rolle als Substratmaterial für Bauelemente (z.B. Dioden, Transistoren) in leistungselektronischen Anwendungen, die mit gängigen Materialien (z.B. Silizium) nicht erschlossen werden können. Die ammonotherma...
Beschreibung
Genaue Abstimmung des Themas erfolgt nach Rücksprache mit dem Kandidaten
Ziele der Arbeit
Bestimmung des spezifischen Widerstands ρ_C des p- und n- Kontaktes auf 4H-SiC
Eine bessere Charakterisierung der Eigenschaften des Kontaktes durch Teststrukturen (z.B. TLM – Transfer...
