Jun Zheng -
Nitride semiconductors as semiconductors with a large band gap are playing an increasingly important role as substrate material for power electronic devices. Ammonothermal crystal growth is a promising growth method for a wide variety of nitride semiconductor materials. The advantage...
Sai Kumar Eedupalli
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This project investigates the structural integrity and failure mechanisms of optical cell win-dows used in high-pressure, high-temperature ammonothermal reactors for gallium nitride (GaN) crystal growth. Ammonothermal synthesis operates under extreme conditions—pres-...
Ravi Jayantibhai Domadiya
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Dieser Bericht untersucht das strukturelle und thermische Verhalten eines hermetisch abgedichteten, silberausgekleideten ammonothermalen Autoklaven, der für das hochreine Wachstum von Galliumnitrid (GaN)-Kristallen unter extremen Druck- und Temperaturbedingung...
Das Halbleitermaterial Galliumnitrid (GaN) spielt auf Grund seiner großen Bandlücke eine zunehmend wichtige Rolle als Basismaterial für leistungselektronische Bauelemente wie zum Beispiel Transistoren. Entscheidend für die Abscheidung dazu notwendiger, funktionaler Bauelementschichten ist ein quali...