Beschreibung

Genaue Abstimmung des Themas erfolgt nach Rücksprache mit dem Kandidaten

Ziele der Arbeit

• Bestimmung des spezifischen Widerstands ρ_C des p- und n- Kontaktes auf 4H-SiC
• Eine bessere Charakterisierung der Eigenschaften des Kontaktes durch Teststrukturen (z.B. TLM – Transfer Length Methode)

Arbeitspakete

• Designvariationen: Erstellung und Modifikation verschiedener TLM-Designs (z.B. unterschiedliche Geometrien)
• Simulationen: Durchführung von elektrischen Simulationen mit Sentaurus TCAD
• Parameterstudien: Systematische Variation von Designparametern (z.B. Kontaktabstände, Kontaktgröße, …)
• Datenerfassung: Durchführung von Messungen an TLM-Strukturen
• Optimierung: Identifikation der optimalen Designparameter zur Verbesserung der elektrischen Eigenschaften der TLM-Strukturen

Deine Kenntnisse

• Kenntnisse in Halbleiterphysik und -technologie
• Erfahrung mit Python
• (Erfahrung mit Simulationssoftware)

Die Abschlussarbeit bietet Dir spannende Einblicke in die kleine Welt der Halbleiter und die Möglichkeit praktische Erfahrungen in der wissenschaftlichen Arbeit der Halbleiterindustrie zu gewinnen. Dabei nutzt Du Simulationen als Werkzeug, um reale Herausforderungen in der Halbleiterwelt zu lösen.
Bei Fragen und Interesse kannst Du Dich sehr gerne per Mail bei mir melden und wir vereinbaren einen Termin.

Kontakt

Maximilian Ley (Fraunhofer IISB, E-Mail: maximilian.ley@iisb.fraunhofer.de)

Prof. Dr.-Ing. Jörg Schulze

Professorinnen und Professoren

Kontakt

• E-Mail: joerg.schulze@fau.de

Kategorie: Offene studentische Arbeiten, Studentische Arbeiten