UnivIS

Praktikum Halbleitertechnologie

Dozent/in

Details

Zeit/Ort n.V.

  • Mi 8:30-12:00, Raum 0.111 (außer vac) ICS

Voraussetzungen / Organisatorisches

Voraussetzung: Modul Technologie Integrierter Schaltungen und/oder Prozessintegration und Bauelementearchitekturen

Inhalt

Das Praktikum zur Technologie der Silicium-Halbleiterbauelemente vermittelt einen ersten praktischen Einstieg in die Halbleitertechnologie. Im Verlauf des Herstellungsprozesses einer Solarzelle werden die Herstellungsschritte Oxidation, Implantation, Lithographie, Ätzen und Metallisierung durchgeführt. Darüber hinaus werden wichtige Messverfahren zur Prozesskontrolle wie Schichtdickenmessverfahren, Schichtwiderstandsmessverfahren vorgestellt und zum Schluss die hergestellten Solarzellen an Hand ihrer Strom/Spannungs-Kennlinie elektrisch charakterisiert (Wirkungsgrad etc.).

Zusätzliche Informationen

www: https://www.studon.fau.de/crs2847593.html