Praktika

  • Praktikum Mikroelektronik (SS)
    3 SWS, nur Bachelor EEI
    Voraussetzung: „HLT I – Technologie integrierter Schaltungen“ und/oder „HL V – Halbleiter- und Bauelementemesstechnik“Ziel ist es, praktische Erfahrungen in den Bereichen Herstellungsverfahren und elektrische Charakterisierung, Simulation und Entwurf sowie der Anwendung von mikroelektronischen Bauelementen, Schaltungen und Systemen zu erlangen. Es muss eine Auswahl von 7 Versuchen getroffen werden. Hinweis: es muss von jedem der vier beteiligten Lehrstühle mindestens ein Versuch ausgewählt werden. Die folgenden Versuche werden i.d.R. angeboten: LEB 1 – Charakterisierung von MOSFETs LEB 2 – Charakterisierung von pn-Dioden LEB 3 – Charakterisierung von MOS-Kondensatoren LTE 1 – Analog circuit design (schematic) LTE 2 – Analog circuit design (layout) LTE 3 – Simulation von HF-Strukturen on-Chip mit Sonnet LTE 4 – Diskreter Delta-Sigma ADU LZS 1 – Entwurf und Simulation eines FlipFlops (Pflichtversuch LZS) LZS 2 – Full-Custom-Layout einer Flipflop-Standardzelle LIKE 1 – Digital-Entwurf mit VHDL (Pflichtversuch LIKE) LIKE 2 – Simulation mit VHDL und Testfreundlicher Digital-Entwurf
  • Praktikum Halbleiter- und Bauelementemesstechnik (WS & SS)
    3 SWS, Bachelor und Master EEI und Mechatronik
    Voraussetzung: „HLT I – Technologie integrierter Schaltungen“ und/oder „HL V – Halbleiter- und Bauelementemesstechnik“Im Praktikum zur Halbleiter- und Bauelementemesstechnik wird ein Teil der in der gleichnamigen Vorlesung besprochenen Messverfahren praktisch durchgeführt. Zu Beginn des Praktikums wird die Relevanz der Messtechnik zur Prozesskontrolle aber auch in der Bauelementeentwicklung anhand eines typischen CMOS-Prozesses erläutert. Im Bereich Halbleitermesstechnik werden dann Versuche zur Scheibeneingangskontrolle, zu optischen Schichtdicken- und Strukturbreitenmessverfahren, sowie zur Profilmesstechnik durchgeführt. Im Bereich Bauelementemesstechnik werden MOS-Kondensatoren und MOS-Transistoren, Dioden, Widerstände und spezielle Teststrukturen elektrisch charakterisiert.
  • Praktikum Halbleitertechnologie (SS)
    3 SWS, Bachelor und Master EEI und Mechatronik
    Voraussetzung: „HLT I – Technologie integrierter Schaltungen“.

    • Die StudOn-Kurse zu den Seminaren des LEBs finden Sie unter: https://www.studon.fau.de/studon/goto.php?target=cat_66057