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Untersuchungen zur Leistungsdichte und Effizienz eines isolierenden DC/DC-Wandlers in GaN-Technologie

Untersuchungen zur Leistungsdichte und Effizienz eines isolierenden DC/DC-Wandlers in GaN-Technologie

(Drittmittelfinanzierte Gruppenförderung – Teilprojekt)

Titel des Gesamtprojektes: Leistungswandler in GaN-Technologie zur Erschließung ungenutzter Energiepotentiale (PowerGaNplus)
Projektleitung:
Projektbeteiligte:
Projektstart: 1. Juni 2010
Projektende: 31. Mai 2013
Akronym: PowerGaNplus
Mittelgeber: BMBF / Verbundprojekt
URL:

Abstract

Für die dynamische Charakterisierung der neuartigen GaN-Leistungsbauelemente wurde ein speziell dafür angepasster Messplatz entwickelt und aufgebaut, der auch einen Vergleich mit Silizium- oder Siliziumkarbid-Bauelementen erlaubt. Der Fokus liegt auf der Erfassung des Schaltverhaltens im Nanosekundenbereich bei Spannungen von bis zu 2 kV und Strömen bis ca. 100 A. Neben der Charakterisierung von Kenngrößen, die von Silizium-Leistungshalbleitern bekannt sind, erfolgt auch eine Bewertung von speziellen Effekten wie zum Beispiel dem dynamischen Einschaltwiderstand Rdson. Die Messergebnisse dienen als Ausgangsbasis für sinnvolle Betriebspunkte eines DC/DC-Wandlers und zeigen das Potential der GaN-Technologie für leistungselektronische Anwendungen auf.

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