Entwicklung von Halbleiter-Sensoren auf Siliziumkarbid

(Projekt aus Eigenmitteln)

Titel des Gesamtprojektes:
Projektleitung: Lothar Frey
Projektbeteiligte: Christian Matthus
Projektstart: 1. Oktober 2014
Projektende: 15. Juni 2018
Akronym:
Mittelgeber:
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Abstract

Durch die Weiterentwicklung der Prozesstechnologie sowie das verbesserte Bauelement-Verständnis konnte die SiC-Halbleitertechnologie in den letzten Jahren deutlich weiterentwickelt werden. Unterstützt wurde diese Entwicklung besonders durch die signifikante Verbesserung der Substrat-Eigenschaften und getrieben durch den Bedarf im Bereich der Leistungselektronik. Diese verbesserten Halbleitereigenschaften und Fortschritte in der Technologie können weiterhin auch gezielt für die Entwicklung neuartiger halbleiterbasierter Sensor-Bauelemente eingesetzt werden. Insbesondere von Vorteil ist dabei die große Bandlücke und die damit verbundene geringe intrinsischa Ladungsträgerkonzentration. Außerdem sind UV-Sensoren auf Baus von 4H-SiC durch die größere Bandlücke ohne Einsatz von zusätzlichen optischen Filtern tageslichtblind und erlauben eine selektive UV-Detektion. Dies ist zum Beispiel für moderne Brandmelde-Anlagen erforderlich.

Publikationen

Burenkov A., Matthus C., Erlbacher T.:
Optimization of 4H-SiC UV Photodiode Performance Using Numerical Process and Device Simulation
In: IEEE Sensors Journal 16 (2016), S. 4246-4252
ISSN: 1530-437X
DOI: 10.1109/JSEN.2016.2539598
Matthus C., Erlbacher T., Burenkov A., Bauer A., Frey L.:
Ion implanted 4H-SiC UV pin-diodes for solar radiation detection – Simulation and characterization
In: Materials Science Forum 858 (2016), S. 1032-1035
ISSN: 0255-5476
DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.858.1032
Matthus C., Burenkov A., Erlbacher T.:
Optimization of 4H-SiC photodiodes as selective UV sensors
In: Materials Science Forum (2017), S. 622-625
ISSN: 0255-5476
DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.897.622
Matthus C., Erlbacher T., Schöfer B., Bauer A., Frey L.:
Implementation of 4H-SiC PiN-diodes as nearly linear temperature sensors up to 800 K towards SiC multi-sensor integration
In: Materials Science Forum (2017), S. 618-621
ISSN: 0255-5476
DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.897.618