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Dynamische Charakterisierung von gehäusten Bauelementen und grundlegenden Untersuchungen zur Zuverlässigkeit

Dynamische Charakterisierung von gehäusten Bauelementen und grundlegenden Untersuchungen zur Zuverlässigkeit

(Drittmittelfinanzierte Gruppenförderung – Teilprojekt)

Titel des Gesamtprojektes: Zukünftige, effiziente Energiewandlung mit GaN-basierter Leistungselektronik der nächsten Generation
Projektleitung:
Projektbeteiligte:
Projektstart: 1. April 2014
Projektende: 31. März 2017
Akronym: ZuGaNG
Mittelgeber: BMBF / Verbundprojekt
URL:

Abstract

In diesem Projekt werden sowohl grundlegende Untersuchungen zur Zuverlässigkeit als auch Charakterisierungen dynamischer Schalteigenschaften von GaN-Bauelementen durchgeführt. Dabei werden Defekte im Halbleitermaterial mit dem elektrischen Verhalten der Bauelemente korreliert, um die Zuverlässigkeit zu verbessern. Dies wird auch durch die Herstellung und Erprobung spezieller GaN-Teststrukturen im µm-Maßstab ermöglicht, um neue Charakterisierungsmethoden zu entwickeln. Weiterhin erfolgt eine Charakterisierung des dynamischen Schaltverhaltens von GaN-Transistoren. Dies schließt die Erfassung der Gateladung und des dynamischen Einschaltwiderstands ein. Um die Nachteile von konventionellen normally-on GaN-Transistoren zu umgehen, werden auch hybride normally-off Kaskoden und geeignete Ansteuerschaltungen untersucht.

Publikationen