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    Dünnschicht-Transistoren mit einer neuartigen Architektur für Hochfrequenzschaltungen und Systeme

    Dünnschicht-Transistoren mit einer neuartigen Architektur für Hochfrequenzschaltungen und Systeme

    (Drittmittelfinanzierte Gruppenförderung – Teilprojekt)

    Titel des Gesamtprojektes: High Frequency Flexible Bendable Electronics for Wireless Communication Systems
    Projektleitung: Robert Weigel, Lothar Frey
    Projektbeteiligte: Michael Jank, Martin Ellinger, Daniel Schrüfer
    Projektstart: 1. Juni 2016
    Projektende: 30. Mai 2019
    Akronym: FFlexCom
    Mittelgeber: DFG / Schwerpunktprogramm (SPP)
    URL:

    Abstract

    In aktuellen Dünnschichttransistoren (Thin-Film Transistors, TFTs) werden Source- und Drainkontakte einheitlich oberhalb oder unterhalb des Halbleiters angebracht. Die Kontaktierung auf gegenüberliegenden Seiten in Alternating Contact TFTs (ACTFTs) ermöglicht neue Freiheitsgrade für Bauelementeoptimierung und -einsatz. Dieses Projekt zielt speziell auf Möglichkeiten zur kostengünstigen Realisierung von Kurzkanal-ACTFTs für den Einsatz in RF-Schaltungen ab.Mit den beiden Lehrstühlen für Elektronische Bauelemente sowie Technische Elektronik der FAU Erlangen-Nürnberg arbeiten zwei ausgewiesene Einrichtungen der Halbleiterelektronik und RF-Schaltungstechnik gemeinsam an der integrierten Entwicklung von RF-ACTFTs und daraus abgeleiteten Schaltungen und Systemen. Auf Basis von Metalloxid-TFTs werden Bauelementphysik, RF-Verhalten und neue Schaltungsansätze erforscht und neue Perspektiven für dünne, flexible Anwendungen in Industrie-, Consumer- sowie textiler/tragbarer Elektronik aufgezeigt.

    Publikationen

      Lehrstuhl für Elektronische Bauelemente
      FAU Erlangen-Nürnberg

      Cauerstr. 6
      91058 Erlangen
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