Offene studentische Arbeiten

Beschreibung Silizium Carbid (SiC) eignet sich u.a. wegen seiner großen Bandlücke außerordentlich gut für die Herstellung von elektrischen Bauelementen (z.B. Dioden, Transistoren und Sensoren) für den Einsatz in leistungselektronischen Anwendungen und den Betrieb in beanspruchenden Umgebungen (z...

Beschreibung Nitrid-Halbleiter als Halbleiter großer Bandlücke spielen eine immer stärkere Rolle als Substratmaterial für Bauelemente (z.B. Dioden, Transistoren) in leistungselektronischen Anwendungen, die mit gängigen Materialien (z.B. Silizium) nicht erschlossen werden können. Die ammonotherma...