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21APR 2026
Ongoing student projects
MA: Temperature-Dependent In-Situ UV/VIS Study of GaN Dissolution in Supercritical Ammonia under ammonobasic conditions
Manan Rupesh Nandwana — Gallium nitride (GaN) is a wide-band-gap semiconductor foundational to modern high-power and optoelectronic technologies owing to its excellent electronic and thermal properties. Producing large, high-quality GaN crystals remains challenging because the compound decomposes before melting under ambient pressure. The ammonothermal method, which uses supercritical ammonia with mineralizers such as Ammonium halides […]Manan Rupesh Nandwana — Gallium nitride (GaN) is a wide-band-gap semiconductor foundational to modern high-power and optoelectronic technologies owing to its excellent electronic and thermal properties. Producing large, high-quality GaN crystals remains challenging because the compound decomposes before melting under ambient pressure. The ammonothermal method, which uses supercritical ammonia with mineralizers such as Ammonium halides […]
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16APR 2026
Open student projects
BA/MA: Simulation of GaN-based radiation detectors using TCAD Sentaurus
— Abstract Radiation detectors have a wide range of applications, such as in medical technology, materials analysis, and security screening. Gallium nitride (GaN) shows great potential as a material for sensitive and fast radiation detectors. In this thesis (Bachelor’s/Master’s), various GaN detector structures—ranging from 1D to 2D—are to be simulated using TCAD Sentaurus, their electrical […]— Abstract Radiation detectors have a wide range of applications, such as in medical technology, materials analysis, and security screening. Gallium nitride (GaN) shows great potential as a material for sensitive and fast radiation detectors. In this thesis (Bachelor’s/Master’s), various GaN detector structures—ranging from 1D to 2D—are to be simulated using TCAD Sentaurus, their electrical […]
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16APR 2026
Ongoing student projects
FA: Simulativ unterstütze Optimierung der Strukturparameter eines monolithisch integrierten Circuit Breakers
Simon Küppers — Die Zielsetzung dieses Forschungspraktikums ist die gezielte Optimierung zentraler Strukturparameter des sogenannten Inversen Thyristors (iT), um dessen elektrische Eigenschaften zu verbessern. Der iT ist ein monolithisch in 4H-SiC integrierter Überstromschutzschalter, der insbesondere für DC-Anwendungen mit hohen Netzspannungen von bis zu 900 V vorgesehen ist. Aufgrund der hohen Integrationsdichte bestehen komplexe Wechselwirkungen zwischen […]Simon Küppers — Die Zielsetzung dieses Forschungspraktikums ist die gezielte Optimierung zentraler Strukturparameter des sogenannten Inversen Thyristors (iT), um dessen elektrische Eigenschaften zu verbessern. Der iT ist ein monolithisch in 4H-SiC integrierter Überstromschutzschalter, der insbesondere für DC-Anwendungen mit hohen Netzspannungen von bis zu 900 V vorgesehen ist. Aufgrund der hohen Integrationsdichte bestehen komplexe Wechselwirkungen zwischen […]
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14APR 2026
Ongoing student projects
BA: Systematic analysis of specific contact resistances by correlating process parameters with electrical test structure measurements
reserved H.-R. A. — This bachelor’s thesis focuses on the development of a database structure for integrating heterogeneous electrical measurement data (Excel, TXT, CSV) to enable systematic comparison of test structure designs and resistance measurements during p- and n-type ohmic contact formation for 4H-SiC. The core scientific contribution lies in the data-driven identification and visualization […]reserved H.-R. A. — This bachelor’s thesis focuses on the development of a database structure for integrating heterogeneous electrical measurement data (Excel, TXT, CSV) to enable systematic comparison of test structure designs and resistance measurements during p- and n-type ohmic contact formation for 4H-SiC. The core scientific contribution lies in the data-driven identification and visualization […]
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07APR 2026
Completed 2025
BA: Electrical Characterization of High-Temperature Degradation in Vertical SiC Trench-Pin Diodes
Daniel Ramig – Abstract will be available soon. — Project type: Bachelor thesis — Status: Completed — Contact
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07APR 2026
Ongoing student projects
BA: Fabrication and Characterization of NbN Thin Films by IBAD
Atakan Yolcular — Seit einiger Zeit beschäftigt sich der Lehrstuhl für Elektronische Bauelemente bereits mit dem innovativen Themenfeld der Quantenbauelemente und der Prozessintegration für quanten-elektronische Anwendungen. Dabei liegt der Fokus darauf, das Halbleitermaterial SiC im Bereich Quanten-Computing zu nutzen und SiC-Qubits in Bauelemente zu integrieren. Dabei werden die quantenelektronischen Eigenschaften von Punktdefekten, sogenannten Farbzentren, im […]Atakan Yolcular — Seit einiger Zeit beschäftigt sich der Lehrstuhl für Elektronische Bauelemente bereits mit dem innovativen Themenfeld der Quantenbauelemente und der Prozessintegration für quanten-elektronische Anwendungen. Dabei liegt der Fokus darauf, das Halbleitermaterial SiC im Bereich Quanten-Computing zu nutzen und SiC-Qubits in Bauelemente zu integrieren. Dabei werden die quantenelektronischen Eigenschaften von Punktdefekten, sogenannten Farbzentren, im […]
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