Anleser: Nanostrukturen wie Nanosäulen/-löcher, Nanolinienstrukturen oder Nanopartikel haben sich als leistungsfähige Komponenten in den Bereichen Photonik, MEMS/MOEMS/NEMS, biokompatible Sensoren und der Quantensensorik erwiesen. Daher stellt die Strukturierung von Wirtsmaterialien wie Silizium (Si) und Siliziumcarbid (SiC) einen entscheidenden Schritt dar. Für die Übertragung und Realisierung benötigter Nanostrukturen dienen lithographische Techniken wie die Elektronenstrahl-Lithographie (EBL, engl. Electron Beam Lithography), Photolithographie, Rastersonden-Lithographie (RSL) oder die Nanoimprint-Lithographie (NIL). NIL hebt sich dabei deutlich von den restlichen Lithographie-Methoden durch eine hohe Auflösung und einen hohen Durchsatz bei gleichzeitig niedrigen Kosten ab. NIL nutzt einen UV-aushärtenden Lack (UV-NIL) in den die nanoskaligen Muster über einen Stempel in den Lack geprägt werden. Der strukturierte Lack dient in anschließenden Prozessen als Maske für einen Trockenätzprozess oder stellt die Anwendung selbst dar. Somit ist eines der Hauptaufgabenfelder die Entwicklung und Verbesserung der UV-sensitiven Lacke. Auf der einen Seite müssen sie kompatibel mit dem Stempelmaterial und der Oberfläche der Substrate sein, auf der anderen Seite muss der Lack eine hohe Stabilität gegenüber dem Plasma in einem Trockenätzverfahren aufweisen. Um all diese Herausforderungen zu adressieren, wurde ein neuer Typ eines speziell für die UV-NIL entwickelter Lacks, der mr-NIL213FC-100 nm, fomuliert. In der vorliegenden Arbeit wird dieser neue Lack mit dem Ziel der Entwicklung und Optimierung von Prozessparameter für einen Prägeprozess mit UV-NIL untersucht.
