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Praktika

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Praktika

  • Reinraum und Halbleiterpraktikum
    5 SWS, nur Bachelor Nanotechnologie

    Im Rahmen des Praktikums erarbeiten sich die Studierenden in kleinen Gruppen grundlegende Kenntnisse über die Herstellungsschritte von mikro- und nanoelektronischen Bauelementen. Darauf aufbauend werden im Reinraum des Lehrstuhls Technologieschritte zur Herstellung einfacher elektronische Bauelemente vorgestellt. Der Schwerpunkt der praktischen Versuche liegt dabei im Bereich der Herstellung dünner Schichten sowie der Strukturübertragung mittels Photolithographie. Dabei lernen die Studierenden die Arbeitsbedingungen bei höchsten Reinheitsanforderungen kennen. Außerdem werden einfache Bauelemente elektrisch charakterisiert und die Messungen ausgewertet. Die Ergebnisse der elektrischen Messungen werden mit simulierten Kennlinien der Bauelemente verglichen.

  • Praktikum Mikroelektronik
    3 SWS, nur Bachelor EEI
    Voraussetzung: „HLT I – Technologie integrierter Schaltungen“ und/oder „HL V – Halbleiter- und Bauelementemesstechnik“

    Ziel ist es, praktische Erfahrungen in den Bereichen Herstellungsverfahren und elektrische Charakterisierung, Simulation und Entwurf sowie der Anwendung von mikroelektronischen Bauelementen, Schaltungen und Systemen zu erlangen. Es muss eine Auswahl von 7 Versuchen getroffen werden. Hinweis: es muss von jedem der vier beteiligten Lehrstühle mindestens ein Versuch ausgewählt werden. Die folgenden Versuche werden i.d.R. angeboten: LEB 1 – Charakterisierung von MOSFETs LEB 2 – Charakterisierung von pn-Dioden LEB 3 – Charakterisierung von MOS-Kondensatoren LEB 4 – Haynes-Shockley-Experiment LTE 1 – Analog circuit design (schematic) LTE 2 – Analog circuit design (layout) LTE 3 – Simulation von HF-Strukturen on-Chip mit Sonnet LTE 4 – Diskreter Delta-Sigma ADU LZS 1 – Entwurf und Simulation eines FlipFlops (Pflichtversuch LZS) LZS 2 – Full-Custom-Layout einer Flipflop-Standardzelle LIKE 1 – Digital-Entwurf mit VHDL (Pflichtversuch LIKE) LIKE 2 – Simulation mit VHDL und Testfreundlicher Digital-Entwurf

  • Praktikum Halbleiter- und Bauelementemesstechnik
    3 SWS, Bachelor und Master EEI und Mechatronik
    Voraussetzung: „HLT I – Technologie integrierter Schaltungen“ und/oder „HL V – Halbleiter- und Bauelementemesstechnik“

    Im Praktikum zur Halbleiter- und Bauelementemesstechnik wird ein Teil der in der gleichnamigen Vorlesung besprochenen Messverfahren praktisch durchgeführt. Zu Beginn des Praktikums wird die Relevanz der Messtechnik zur Prozesskontrolle aber auch in der Bauelementeentwicklung anhand eines typischen CMOS-Prozesses erläutert. Im Bereich Halbleitermesstechnik werden dann Versuche zur Scheibeneingangskontrolle, zu optischen Schichtdicken- und Strukturbreitenmessverfahren, sowie zur Profilmesstechnik durchgeführt. Im Bereich Bauelementemesstechnik werden MOS-Kondensatoren und MOS-Transistoren, Dioden, Widerstände und spezielle Teststrukturen elektrisch charakterisiert.

Die StudOn-Kurse zu den Seminaren des LEBs finden Sie unter: https://www.studon.fau.de/studon/goto.php?target=cat_66057

Internship (PR)

  • Praktikum Mechatronische Systeme

    Weitere Informationen im StudOn-Bereich zum Praktikum. Einführungsveranstaltung findet am 27.04. statt.

    Die Anmeldung zum Kurs erfolgt über StudON. Anmeldung ist nötig!
    Bitte melden Sie sich ab dem 22.03.2022 zum Kurs an. Weitere Informationen finden Sie im StudOn-Bereich zum Praktikum Mechatronische Systeme.
    Link zur StudOn-Seite: https://www.studon.fau.de/crs4338052.html

    • 6SWS; Schein; ECTS studies (ECTS credits: 5)
    • Termin:
      • Mi 14:15-17:45, (außer vac) (Kurs Gruppentermin) ICS
      • Einzeltermin am 27.04.2022 14:00-16:00, Raum Hans-Georg-Waeber-Saal (außer vac) (Kurs Einführungsveranstaltung Praktikum Mechatronische Systeme) ICS
      • Einzeltermin am 20.07.2022 14:00-17:00, Raum Hans-Georg-Waeber-Saal (außer vac) (Kurs Abschlussveranstaltung Praktikum Mechatronische Systeme) ICS
  • Praktikum Mikroelektronik

    Nur für Studenten im Bachelorstudium EEI mit Studienrichtung Mikroelektronik belegbar.

    • 3SWS; Erwartete Teilnehmerzahl: 6; Schein; ECTS studies (ECTS credits: 2,5)
    • Termin:
      • Zeit/Ort n.V.
  • Praktikum Mikroelektronik

    • 3SWS
    • Termin:
      • Zeit/Ort n.V.
  • Praktikum Mikroelektronik

    • 3SWS
    • Termin:
      • Zeit/Ort n.V.
  • Praktikum Mikroelektronik

    • 3SWS
    • Termin:
      • Zeit/Ort n.V.
  • Praktikum Mikroelektronik

    • 3SWS
    • Termin:
      • Zeit/Ort n.V.
  • Praktikum Halbleiter- und Bauelementemesstechnik

    Voraussetzung: Vorlesungen Technologie integrierter Schaltungen und/oder Halbleiter- und Bauelementemesstechnik

    • 3SWS; Schein; ECTS studies (ECTS credits: 2,5)
    • Termin:
      • Zeit/Ort n.V.
  • Praktikum Halbleitertechnologie

    Voraussetzung: Modul Technologie Integrierter Schaltungen und/oder Prozessintegration und Bauelementearchitekturen

    • 3SWS; Schein; ECTS studies (ECTS credits: 2,5)
    • Termin:
      • Mi 8:30-12:00, Raum 0.111 (außer vac) ICS
Lehrstuhl für Elektronische Bauelemente
FAU Erlangen-Nürnberg

Cauerstr. 6
91058 Erlangen
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