Dissertationen aus den Jahren 1989 – 1995
1995
| Name | Thema / Titel | Datum der Promotion |
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| W. Aderhold | Einfluß von Metallkontamination auf die Qualität von Gateoxiden
| 21.12.1995 |
| N. Streckfuß | Charakterisierung von Siliciumoberflächen mittel Röntgenfluoreszenzanalyse unter Totalreflexionsbedingungen | 17.08.1995 |
| T. Falter | Tiefenabhängige Messung von Diffusionslängen mit dem Photostrom-Meßverfahren Elymat | 23.02.1995 |
| A. Bauer | Schnelle thermische Prozessierung und Charakterisierung dünner nitridierter Oxide | 13.02.1995 |
1994
| Name | Thema / Titel | Datum der Promotion |
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| R. Wierzbicki | Analytische Beschreibung der Implantation von Ionen in Ein- und Mehrschichtstrukturen | 03.02.1994 |
| W.-C. Jung | Reichweiteverteilung hochenergetischer Ionen in Silicium | 21.01.1994 |
1993
| Name | Thema / Titel | Datum der Promotion |
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| L. Gong | Untersuchung und Charakterisierung von ein- und zweidimensionalen Implantationsprofilen in einkristallinem Silicium
| 15.10.1993 |
| N. Rausch | Chemische Gasphasenabscheidung und Charakterisierung von Tantalpentoxid-Schichten | 30.07.1993 |
1992
| Name | Thema / Titel | Datum der Promotion |
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| R. Schork | Untersuchung der Eigenschaften von vergrabenen isolierenden Schichten für die MOS-Technologie
| 23.12.1992 |
| G. Temmel | Der Einsatz von in-situ-Meßtechnik zur Automatisierung des Belackungs- und Entwicklungsprozesses | 27.11.1992 |
| C. Dehm | Einfluß des Herstellungsverfahrens auf die Kontakteigenschaften von Cobalt- und Titansilicidschichten | 20.11.1992 |
| H. Wille | Topographie und Kantenbedeckung von abgeschiedenen Schichten am Beispiel des Siliziumdioxids | 28.09.1992 |
| T. Fehn | Entwurf und numerische Analyse von Halbleiterstrukturen für den Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) | 23.03.1992 |
| C. Schneider | Entwicklung eines in situ-Meß- und Regelsystems für Halbleiterfertigungsprozesse am Beispiel der thermischen Oxidation von Silizium | 20.02.1992 |
1991
| Name | Thema / Titel | Datum der Promotion |
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| K. Schott | Simulation der lokalen Oxidation von Silizium unter Berücksichtigung viskoelastischen Verhaltens des Oxids | 16.09.1991 |
| N. Holzer | Untersuchung des Ausheilverhaltens und der Diffusion von Aluminium in Silicium nach der Vorbelegung durch Ionenimplantation | 24.06.1991 |
| R. Dürr | Beschreibung der Dualen Diffusion von Dotieratomen in Silicium für die Anwendung in der Prozeßsimulation | 07.05.1991 |
| H. Zimmermann | Messung und Modellierung von Gold- und Platinprofilen in Silicium | 16.04.1991 |
| K. Langguth | Implantation von Sauerstoff- und Aluminiumionen zur Verbesserung der Verschleißbeständigkeit von Stählen | 01.02.1991 |
1990
| Name | Thema / Titel | Datum der Promotion |
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| Th. Stockmeier | Passivierung von Leistungsbauelementen mit sauerstoffdotierten polykristallinen Siliziumschichten | 24.09.1990 |
1989
| Name | Thema / Titel | Datum der Promotion |
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| A. Seidl | Zweidimensionale Simulation der lokalen Oxidation von Silizium | 23.02.1989 |
