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Abstract

Strahlungsdetektoren haben ein breites Anwendungsspektrum, etwa in Medizintechnik, Materialanalyse und Sicherheitskontrolle. Galliumnitrid (GaN) zeigt großes Potenzial als Material für empfindliche und schnell Strahlungsdetektoren.

In dieser Abschlussarbeit (Bachelor/Master) sollen mit TCAD Sentaurus verschiedene GaN-Detektorstrukturen simuliert, von 1D bis 2D, ihre elektrischen und detektorphysikalischen Eigenschaften untersucht und – sofern vorhanden – mit experimentellen Messdaten verglichen und kalibriert werden.

Die Arbeit richtet sich an Studierende der Elektrotechnik, Physik, Materialwissenschaften, Mechatronik oder verwandter Fächer mit Grundkenntnissen in Halbleiterphysik und Interesse an numerischer Simulation. Vorkenntnisse in TCAD, CAD sind sehr hilfreich, aber nicht zwingend erforderlich.

Art der Arbeit:

Bachelorarbeit / Masterarbeit

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Status:

offen

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