Laufende studentische Arbeiten

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27FEB. 2026
Laufende studentische Arbeiten
MA: Temperature-Dependent Dissolution of GaN under matched Ammonothermal Conditions – gravimetric analysis utilizing capsules with high thermal conductivity
Maitri Bharatbhai Savani – Nitride semiconductors, as wide-bandgap semiconductors, playing an increasingly Owing to their wide bandgap characteristics, nitride semiconductors are increasingly important as substrate materials for power electronic devices. Ammonothermal crystal growth is a promising growth method for gallium nitride (GaN). The advantage of this method is the ability to produce crystals with very […]Maitri Bharatbhai Savani – Nitride semiconductors, as wide-bandgap semiconductors, playing an increasingly Owing to their wide bandgap characteristics, nitride semiconductors are increasingly important as substrate materials for power electronic devices. Ammonothermal crystal growth is a promising growth method for gallium nitride (GaN). The advantage of this method is the ability to produce crystals with very […]
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23JAN. 2026
Laufende studentische Arbeiten
BA: Herstellung und Charakterisierung von NbN Dünnschicht Abscheidung mittels IBAD
reserviert Atakan Y. — Seit einiger Zeit beschäftigt sich der Lehrstuhl für Elektronische Bauelemente bereits mit dem innovativen Themenfeld der Quantenbauelemente und der Prozessintegration für quanten-elektronische Anwendungen. Dabei liegt der Fokus darauf, das Halbleitermaterial SiC im Bereich Quanten-Computing zu nutzen und SiC-Qubits in Bauelemente zu integrieren. Dabei werden die quantenelektronischen Eigenschaften von Punktdefekten, sogenannten Farbzentren, […]reserviert Atakan Y. — Seit einiger Zeit beschäftigt sich der Lehrstuhl für Elektronische Bauelemente bereits mit dem innovativen Themenfeld der Quantenbauelemente und der Prozessintegration für quanten-elektronische Anwendungen. Dabei liegt der Fokus darauf, das Halbleitermaterial SiC im Bereich Quanten-Computing zu nutzen und SiC-Qubits in Bauelemente zu integrieren. Dabei werden die quantenelektronischen Eigenschaften von Punktdefekten, sogenannten Farbzentren, […]
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08JAN. 2026
Laufende studentische Arbeiten
MA: A model of a multi-zone furnace for ammonothermal crystal growth – comparative analysis and experimental validation of implementations in Ansys Fluent and CrysMAS
Dhruval Bipinbhai Bhandari – This thesis develops a validated multi-zone furnace model for ammonothermal crystal growth and presents a comparative analysis of implementations in CrysMAS and Ansys Fluent. The following approaches will be investigated to take advantage of the complementary capabilities of the two softwares (CrysMAS does not allow different mesh parameters in separate fluid […]
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17DEZ. 2025
Laufende studentische Arbeiten
MA: Ni-Si and Multilayer Metallization Schemes for Rapid Thermal Annealed Ohmic Contacts to 4H-SiC
Lutz Hager – This thesis focuses on adapting and optimizing a novel fabrication process for ohmic contacts on 4H-Silicon Carbide (4H-SiC) devices, leveraging the advanced manufacturing capabilities at the Fraunhofer Institute and the Chair of Electron Devices. The primary objective is to optimize the established Ni-based n-type contacts by introducing Silicon interlayers. This method addresses […]Lutz Hager – This thesis focuses on adapting and optimizing a novel fabrication process for ohmic contacts on 4H-Silicon Carbide (4H-SiC) devices, leveraging the advanced manufacturing capabilities at the Fraunhofer Institute and the Chair of Electron Devices. The primary objective is to optimize the established Ni-based n-type contacts by introducing Silicon interlayers. This method addresses […]
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21OKT. 2025
Laufende studentische Arbeiten
MA: Simulationsgestützte Anaylse von Fehlereinflüssen bei der Charakterisierung ohmscher Kontakte auf 4H-SiC mittels CBKR-Teststrukturen
Fabian Schellenberger — Art der Arbeit: Masterarbeit — Status: laufend — Kontakt: Ley, Maximilian (IISB, maximilian.ley@iisb.fraunhofer.de) Rommel, Mathias (IISB, mathias.rommel@iisb.fraunhofer.de)
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21OKT. 2025
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BA: Simulation und Kalibrierung von TLM-Teststrukturen zur präzisen Charakterisierung von ohmschen Kontakten auf p-dotiertem 4H-SiC
Lukas Regler — Art der Arbeit: Bachelorarbeit — Status: laufend — Kontakt: Ley, Maximilian (IISB, maximilian.ley@iisb.fraunhofer.de)
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