Ongoing student projects

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21APR 2026
Ongoing student projects
MA: Temperature-Dependent In-Situ UV/VIS Study of GaN Dissolution in Supercritical Ammonia under ammonobasic conditions
Manan Rupesh Nandwana — Gallium nitride (GaN) is a wide-band-gap semiconductor foundational to modern high-power and optoelectronic technologies owing to its excellent electronic and thermal properties. Producing large, high-quality GaN crystals remains challenging because the compound decomposes before melting under ambient pressure. The ammonothermal method, which uses supercritical ammonia with mineralizers such as Ammonium halides […]Manan Rupesh Nandwana — Gallium nitride (GaN) is a wide-band-gap semiconductor foundational to modern high-power and optoelectronic technologies owing to its excellent electronic and thermal properties. Producing large, high-quality GaN crystals remains challenging because the compound decomposes before melting under ambient pressure. The ammonothermal method, which uses supercritical ammonia with mineralizers such as Ammonium halides […]
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16APR 2026
Ongoing student projects
FA: Simulativ unterstütze Optimierung der Strukturparameter eines monolithisch integrierten Circuit Breakers
Simon Küppers — Die Zielsetzung dieses Forschungspraktikums ist die gezielte Optimierung zentraler Strukturparameter des sogenannten Inversen Thyristors (iT), um dessen elektrische Eigenschaften zu verbessern. Der iT ist ein monolithisch in 4H-SiC integrierter Überstromschutzschalter, der insbesondere für DC-Anwendungen mit hohen Netzspannungen von bis zu 900 V vorgesehen ist. Aufgrund der hohen Integrationsdichte bestehen komplexe Wechselwirkungen zwischen […]Simon Küppers — Die Zielsetzung dieses Forschungspraktikums ist die gezielte Optimierung zentraler Strukturparameter des sogenannten Inversen Thyristors (iT), um dessen elektrische Eigenschaften zu verbessern. Der iT ist ein monolithisch in 4H-SiC integrierter Überstromschutzschalter, der insbesondere für DC-Anwendungen mit hohen Netzspannungen von bis zu 900 V vorgesehen ist. Aufgrund der hohen Integrationsdichte bestehen komplexe Wechselwirkungen zwischen […]
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14APR 2026
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BA: Systematic analysis of specific contact resistances by correlating process parameters with electrical test structure measurements
reserved H.-R. A. — This bachelor’s thesis focuses on the development of a database structure for integrating heterogeneous electrical measurement data (Excel, TXT, CSV) to enable systematic comparison of test structure designs and resistance measurements during p- and n-type ohmic contact formation for 4H-SiC. The core scientific contribution lies in the data-driven identification and visualization […]reserved H.-R. A. — This bachelor’s thesis focuses on the development of a database structure for integrating heterogeneous electrical measurement data (Excel, TXT, CSV) to enable systematic comparison of test structure designs and resistance measurements during p- and n-type ohmic contact formation for 4H-SiC. The core scientific contribution lies in the data-driven identification and visualization […]
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07APR 2026
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BA: Fabrication and Characterization of NbN Thin Films by IBAD
Atakan Yolcular — Seit einiger Zeit beschäftigt sich der Lehrstuhl für Elektronische Bauelemente bereits mit dem innovativen Themenfeld der Quantenbauelemente und der Prozessintegration für quanten-elektronische Anwendungen. Dabei liegt der Fokus darauf, das Halbleitermaterial SiC im Bereich Quanten-Computing zu nutzen und SiC-Qubits in Bauelemente zu integrieren. Dabei werden die quantenelektronischen Eigenschaften von Punktdefekten, sogenannten Farbzentren, im […]Atakan Yolcular — Seit einiger Zeit beschäftigt sich der Lehrstuhl für Elektronische Bauelemente bereits mit dem innovativen Themenfeld der Quantenbauelemente und der Prozessintegration für quanten-elektronische Anwendungen. Dabei liegt der Fokus darauf, das Halbleitermaterial SiC im Bereich Quanten-Computing zu nutzen und SiC-Qubits in Bauelemente zu integrieren. Dabei werden die quantenelektronischen Eigenschaften von Punktdefekten, sogenannten Farbzentren, im […]
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02APR 2026
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BA: Realization and optimization of ODMR measurements on V2 silicon vacancies in 4H-SiC pin diodes
Sebastian Rohrseitz – Due to the advantageous combination of optically active color centers with established semiconductor manufacturing processes, 4H-SiC represents a promising material platform for applications in quantum technology. The integration of these color centers into a p-i-n diode enables a significant reduction in the optical linewidth by stabilizing the charge environment of the point […]Sebastian Rohrseitz – Due to the advantageous combination of optically active color centers with established semiconductor manufacturing processes, 4H-SiC represents a promising material platform for applications in quantum technology. The integration of these color centers into a p-i-n diode enables a significant reduction in the optical linewidth by stabilizing the charge environment of the point […]
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01APR 2026
Ongoing student projects
MA: Optimization of Superjunction MOSFET Dynamics
Student: Vishvas Nanjunda Swamy Summary Superjunction devices have already demonstrated in silicon technologies that the previous “silicon limit” can be exceeded. They allow for a smaller chip area per device and/or a reduction of the on-resistance compared to conventional designs at the same design voltage. The industry is increasingly moving towards silicon carbide (SiC) for […]
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