Laufende Arbeiten

Vora, Darmesh — Art der Arbeit: Forschungsarbeit — Status: laufend — Kontakt:

Zhang, Mingquan — Art der Arbeit: Forschungsarbeit — Status: laufend — Kontakt:

Manan Rupesh Nandwana — Gallium nitride (GaN) is a wide-band-gap semiconductor foundational to modern high-power and optoelectronic technologies owing to its excellent electronic and thermal properties. Producing large, high-quality GaN crystals remains challenging because the compound decomposes before melting under ambient pressure. The ammonothermal method, which uses supercritical ammonia with mineralizers such as Ammonium halides… MA: Temperature-Dependent In-Situ UV/VIS Study of GaN Dissolution in Supercritical Ammonia under ammonobasic conditions weiterlesen

Simon Küppers — Die Zielsetzung dieses Forschungspraktikums ist die gezielte Optimierung zentraler Strukturparameter des sogenannten Inversen Thyristors (iT), um dessen elektrische Eigenschaften zu verbessern. Der iT ist ein monolithisch in 4H-SiC integrierter Überstromschutzschalter, der insbesondere für DC-Anwendungen mit hohen Netzspannungen von bis zu 900 V vorgesehen ist. Aufgrund der hohen Integrationsdichte bestehen komplexe Wechselwirkungen zwischen… FA: Simulativ unterstütze Optimierung der Strukturparameter eines monolithisch integrierten Circuit Breakers weiterlesen

reserviert H.-R. A. — Diese Bachelorarbeit befasst sich mit der Entwicklung einer Datenbankstruktur zur Integration heterogener elektrischer Messdaten (Excel, TXT, CSV), um die systemische Vergleichbarkeit von Teststrukturdesigns- und Widerstandsmessungen bei der p- und n-Ohmkontaktbildung für 4H-SiC zu ermöglichen. Die wissenschaftliche Kernleistung liegt in der datengestützten Identifikation und Visualisierung von Korrelationen zwischen Prozessparametern und spezifischem Kontaktwiderstand… BA: Systematische Analyse spezifischer Kontaktwiderstände durch die Verknüpfung von Prozessparametern und elektrischen Teststrukturmessungen weiterlesen

Atakan Yolcular — Seit einiger Zeit beschäftigt sich der Lehrstuhl für Elektronische Bauelemente bereits mit dem innovativen Themenfeld der Quantenbauelemente und der Prozessintegration für quanten-elektronische Anwendungen. Dabei liegt der Fokus darauf, das Halbleitermaterial SiC im Bereich Quanten-Computing zu nutzen und SiC-Qubits in Bauelemente zu integrieren. Dabei werden die quantenelektronischen Eigenschaften von Punktdefekten, sogenannten Farbzentren, im… BA: Herstellung und Charakterisierung von NbN Dünnschicht Abscheidung mittels IBAD weiterlesen

Sebastian Rohrseitz – 4H-SiC stellt aufgrund der vorteilhaften Kombination optisch aktiver Farbzentren mit etablierten Fertigungsprozessen der Halbleitertechnologie eine vielversprechende Materialplattform für Anwendungen in der Quantentechnologie dar. Die Integration dieser Farbzentren in eine pin-Diode ermöglicht dabei eine signifikante Verringerung der optischen Linienbreite, indem die Ladungsumgebung des Punktdefekts stabilisiert wird, während das Anlegen einer externen elektrischen Spannung… BA: Realisierung und Optimierung von ODMR-Messungen an V2 Siliziumvakanzen in 4H-SiC pin-Dioden weiterlesen

Student: Vishvas Nanjunda Swamy Kurzbeschreibung Superjunction-Bauelemente haben bereits in Silizium-Technologien gezeigt, dass die bisherige „Silizium-Grenze“ überschritten werden kann. Sie ermöglichen eine kleinere Chipfläche pro Bauteil und/oder eine Reduktion des Einschaltwiderstands im Vergleich zu konventionellen Designs bei gleicher Auslegungsspannung. Die Industrie orientiert sich für Hochspannungsanwendungen zunehmend in Richtung Siliziumkarbid (SiC). Aufgrund der Ähnlichkeiten zwischen beiden Technologien… MA: Optimierung der Dynamik von Superjunction-MOSFETs weiterlesen

Nimmi Thara Beena — Art der Arbeit: Forschungsarbeit — Status: laufend — Kontakt:

Lena Heller — Art der Arbeit: Masterarbeit — Status: laufend — Kontakt:

Maitri Bharatbhai Savani – Nitride semiconductors, as wide-bandgap semiconductors, playing an increasingly Owing to their wide bandgap characteristics, nitride semiconductors are increasingly important as substrate materials for power electronic devices. Ammonothermal crystal growth is a promising growth method for gallium nitride (GaN). The advantage of this method is the ability to produce crystals with very… MA: Temperature-Dependent Dissolution of GaN under matched Ammonothermal Conditions – gravimetric analysis utilizing capsules with high thermal conductivity weiterlesen

Dhruval Bipinbhai Bhandari – This thesis develops a validated multi-zone furnace model for ammonothermal crystal growth and presents a comparative analysis of implementations in CrysMAS and Ansys Fluent. The following approaches will be investigated to take advantage of the complementary capabilities of the two softwares (CrysMAS does not allow different mesh parameters in separate fluid… MA: A model of a multi-zone furnace for ammonothermal crystal growth – comparative analysis and experimental validation of implementations in Ansys Fluent and CrysMAS weiterlesen

Lutz Hager – This thesis focuses on adapting and optimizing a novel fabrication process for ohmic contacts on 4H-Silicon Carbide (4H-SiC) devices, leveraging the advanced manufacturing capabilities at the Fraunhofer Institute and the Chair of Electron Devices. The primary objective is to optimize the established Ni-based n-type contacts by introducing Silicon interlayers. This method addresses… MA: Ni-Si and Multilayer Metallization Schemes for Rapid Thermal Annealed Ohmic Contacts to 4H-SiC weiterlesen