- MA: Charakterisierung von Löcherinjektion aus Bor in 4H-SiC an pureB-BipolartransistorenJulia Wimmer — Art der Arbeit: Masterarbeit — Status: laufend — Kontakt:
- MA: Development of a discharge circuit for LVDC power applicationsSimon Küppers — The growing adoption of low-voltage direct current (LVDC) networks is driving demand for semiconductor-based protection devices capable of meeting the strict safety requirements of DC systems. One particular challenge in this context is the controlled discharge of input capacitances and support capacitors in interaction with line inductances, which becomes increasingly relevant as… MA: Development of a discharge circuit for LVDC power applications weiterlesen
- BA: Vergleich von TLM- und CBKR-Teststrukturen zur Bestimmung des spezifischen Kontaktwiderstandes mithilfe einer DatenbankHanna Arslaner — Gegenstand dieser Bachelorarbeit ist die analytische Auswertung von Teststrukturen zur Bestimmung der spezifischen Kontaktwiderstände auf n- und p-dotiertem 4H-SiC. Um eine systematische Vergleichbarkeit zwischen TLM- und CBKR-Strukturen aus verschiedenen Prozessen zu ermöglichen, wird zunächst eine Datenbankstruktur zur Integration uneinheitlicher Rohdaten (Excel, TXT, CSV) entwickelt. Die wissenschaftliche Eigenleistung besteht darin, diese Messwerte mit… BA: Vergleich von TLM- und CBKR-Teststrukturen zur Bestimmung des spezifischen Kontaktwiderstandes mithilfe einer Datenbank weiterlesen
- MA: Thermo-Mechanical Modelling and Evaluation of a Silver Liner for High-Pressure Ammonothermal AutoclavesDomadiya, Ravi Jayantibhai — Ammonothermal autoclaves operate at extreme pressures and temperatures (up to ~300 MPa and 600 °C), imposing significant demands on corrosion resistance and sealing integrity. A hermetically sealed silver liner is a promising solution due to its chemical stability and high ductility, enabling plastic adaptation to the vessel geometry. However, the coupled… MA: Thermo-Mechanical Modelling and Evaluation of a Silver Liner for High-Pressure Ammonothermal Autoclaves weiterlesen
- BA: PLE- und ODMR-Messungen an V2 Siliziumvakanzen in 4H-SiC pin-DiodenSebastian Rohrseitz – 4H-SiC stellt aufgrund der vorteilhaften Kombination optisch aktiver Farbzentren mit etablierten Fertigungsprozessen der Halbleitertechnologie eine vielversprechende Materialplattform für Anwendungen in der Quantentechnologie dar. Die Integration dieser Farbzentren in eine pin-Diode ermöglicht dabei eine signifikante Verringerung der optischen Linienbreite, indem die Ladungsumgebung des Punktdefekts stabilisiert wird, während das Anlegen einer externen elektrischen Spannung… BA: PLE- und ODMR-Messungen an V2 Siliziumvakanzen in 4H-SiC pin-Dioden weiterlesen
- FA: 1D Simulation of GaN: Fe-Based Schottky Diodes and MSM StructuresVora, Darmesh — Art der Arbeit: Forschungsarbeit — Status: laufend — Kontakt:
- FA: TCAD-Based Capacitance Study of GaN Schottky Diode and MSM Dectector ArchitecturesZhang, Mingquan — Art der Arbeit: Forschungsarbeit — Status: laufend — Kontakt:
- MA: Temperature-Dependent In-Situ UV/VIS Study of GaN Dissolution in Supercritical Ammonia under ammonobasic conditionsManan Rupesh Nandwana — Gallium nitride (GaN) is a wide-band-gap semiconductor foundational to modern high-power and optoelectronic technologies owing to its excellent electronic and thermal properties. Producing large, high-quality GaN crystals remains challenging because the compound decomposes before melting under ambient pressure. The ammonothermal method, which uses supercritical ammonia with mineralizers such as Ammonium halides… MA: Temperature-Dependent In-Situ UV/VIS Study of GaN Dissolution in Supercritical Ammonia under ammonobasic conditions weiterlesen
- BA: Systematische Analyse spezifischer Kontaktwiderstände durch die Verknüpfung von Prozessparametern und elektrischen Teststrukturmessungenreserviert H.-R. A. — Diese Bachelorarbeit befasst sich mit der Entwicklung einer Datenbankstruktur zur Integration heterogener elektrischer Messdaten (Excel, TXT, CSV), um die systemische Vergleichbarkeit von Teststrukturdesigns- und Widerstandsmessungen bei der p- und n-Ohmkontaktbildung für 4H-SiC zu ermöglichen. Die wissenschaftliche Kernleistung liegt in der datengestützten Identifikation und Visualisierung von Korrelationen zwischen Prozessparametern und spezifischem Kontaktwiderstand… BA: Systematische Analyse spezifischer Kontaktwiderstände durch die Verknüpfung von Prozessparametern und elektrischen Teststrukturmessungen weiterlesen
- BA: Herstellung und Charakterisierung von NbN Dünnschicht Abscheidung mittels IBADAtakan Yolcular — Seit einiger Zeit beschäftigt sich der Lehrstuhl für Elektronische Bauelemente bereits mit dem innovativen Themenfeld der Quantenbauelemente und der Prozessintegration für quanten-elektronische Anwendungen. Dabei liegt der Fokus darauf, das Halbleitermaterial SiC im Bereich Quanten-Computing zu nutzen und SiC-Qubits in Bauelemente zu integrieren. Dabei werden die quantenelektronischen Eigenschaften von Punktdefekten, sogenannten Farbzentren, im… BA: Herstellung und Charakterisierung von NbN Dünnschicht Abscheidung mittels IBAD weiterlesen
- MA: Optimierung der Dynamik von Superjunction-MOSFETsStudent: Vishvas Nanjunda Swamy Kurzbeschreibung Superjunction-Bauelemente haben bereits in Silizium-Technologien gezeigt, dass die bisherige „Silizium-Grenze“ überschritten werden kann. Sie ermöglichen eine kleinere Chipfläche pro Bauteil und/oder eine Reduktion des Einschaltwiderstands im Vergleich zu konventionellen Designs bei gleicher Auslegungsspannung. Die Industrie orientiert sich für Hochspannungsanwendungen zunehmend in Richtung Siliziumkarbid (SiC). Aufgrund der Ähnlichkeiten zwischen beiden Technologien… MA: Optimierung der Dynamik von Superjunction-MOSFETs weiterlesen
- FA: Development and Experimental Validation of a 2D Thermo-Mechanical Model for High Pressure Optical Cell Windows under Sequential Assembly, Ammonia Filling, and Ammonothermal Ramp-Up ConditionsNimmi Thara Beena — Gallium nitride (GaN) has emerged as a cornerstone material in modern electronics with its ability to operate at high voltages, frequencies, and temperatures. Its superior energy efficiency and compactness drive advancements in energy-efficient and high-performance technologies, e.g., power converters and electric vehicles.Optical cells enable valuable insights with respect to reaction kinetics,… FA: Development and Experimental Validation of a 2D Thermo-Mechanical Model for High Pressure Optical Cell Windows under Sequential Assembly, Ammonia Filling, and Ammonothermal Ramp-Up Conditions weiterlesen
- MA: Development and characterisation of photonic thin films in the near-infrared spectrum for trapped ion quantum computingLena Heller — Art der Arbeit: Masterarbeit — Status: laufend — Kontakt:
- MA: Temperature-Dependent Dissolution of GaN under matched Ammonothermal Conditions – gravimetric analysis utilizing capsules with high thermal conductivityMaitri Bharatbhai Savani – Nitride semiconductors, as wide-bandgap semiconductors, playing an increasingly Owing to their wide bandgap characteristics, nitride semiconductors are increasingly important as substrate materials for power electronic devices. Ammonothermal crystal growth is a promising growth method for gallium nitride (GaN). The advantage of this method is the ability to produce crystals with very… MA: Temperature-Dependent Dissolution of GaN under matched Ammonothermal Conditions – gravimetric analysis utilizing capsules with high thermal conductivity weiterlesen
- MA: A model of a multi-zone furnace for ammonothermal crystal growth – comparative analysis and experimental validation of implementations in Ansys Fluent and CrysMASDhruval Bipinbhai Bhandari – This thesis develops a validated multi-zone furnace model for ammonothermal crystal growth and presents a comparative analysis of implementations in CrysMAS and Ansys Fluent. The following approaches will be investigated to take advantage of the complementary capabilities of the two softwares (CrysMAS does not allow different mesh parameters in separate fluid… MA: A model of a multi-zone furnace for ammonothermal crystal growth – comparative analysis and experimental validation of implementations in Ansys Fluent and CrysMAS weiterlesen