Abgeschlossen 2026
- BA: Evaluation der Konduktanz-Methode zur Bestimmung der Grenzflächenzustandsdichten von 4H-SiC-basierten MOS-StrukturenLukas Fehler — Ziel dieser Arbeit war die Evaluation der Konduktanz-Methode mit dem Keysight E4980A Precision LCR Meter zur Bestimmung der Grenzflächenzustandsdichte in 4H-SiC-basierten MOS-Strukturen. Hierfür wurden n-typ dotierte 4H-SiC-basierte MOS-Kondensatoren mit einer 55 nm dicken SiO2-Schicht sowohl mit der Konduktanz-Methode als auch mit der Hochfrequenz-Kapazitätsmethode, oder auch als Terman-Methode bekannt, bei Raumtemperatur von 300… BA: Evaluation der Konduktanz-Methode zur Bestimmung der Grenzflächenzustandsdichten von 4H-SiC-basierten MOS-Strukturen weiterlesen
- MA: Simulationsgestützte Anaylse von Fehlereinflüssen bei der Charakterisierung ohmscher Kontakte auf 4H-SiC mittels CBKR-TeststrukturenFabian Schellenberger — In dieser Arbeit wird die Kelvinkreuzteststruktur (CBKR, engl. Cross-Bridge Kelvin resistor) zur Messung des spezifischen Kontaktwiderstands 𝜌c auf 4H-SiC untersucht. Die systematischen Fehler, die bei Messungen mit dieser Teststruktur einhergehen, werden durch eine simulative Analyse untersucht. Auf diese Weise werden Entwurfskriterien gewonnen, welche eine bessere Auslegung von CBKRs ermöglichen.Die CBKR ist eine… MA: Simulationsgestützte Anaylse von Fehlereinflüssen bei der Charakterisierung ohmscher Kontakte auf 4H-SiC mittels CBKR-Teststrukturen weiterlesen
- MA: Elektrische Charakterisierung und vergleichende Analyse von MAGFET-Designs in einer 4H-SiC-CMOS-TechnologiePedram Sarmadi — Diese Arbeit untersucht n- und p-Typ Split-Drain-MAGFETs, die in einer 4H-SiC CMOS-Technologie des Fraunhofer IISB gefertigt wurden. Ziel ist die quantitative Bewertung zentraler Sensorkennwerte unter Variation der Kanalgeometrie, der elektrischen Bias-Bedingungen. Die Analyse umfasst den Betrieb ohne Magnetfeld, unter einem statischen Permanentmagnetfeld sowie nach thermischer Belastung bis 400 °C.Für alle Bauelemente werden… MA: Elektrische Charakterisierung und vergleichende Analyse von MAGFET-Designs in einer 4H-SiC-CMOS-Technologie weiterlesen
- MA: Investigation of correlations between process data, test structure properties and device caracteristics of MOSFETs via machine learning modelsZhifeng Huang — In den letzten Jahren haben sich künstliche Intelligenz (KI)-Technologien wie das Machine Learning rasant entwickelt. Sinkende Rechenkosten bieten eine potenziell effiziente Lösung zur Überwachung, Analyse und Vorhersage zentraler Parameter von Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFETs).Auf dieser Grundlage untersucht diese Arbeit eine Methode, bei der ein Random-Forest-Regressionsmodell eingesetzt wird, um den Zusammenhang zwischen Teststruktur-Eigenschaften und Bauteileigenschaften… MA: Investigation of correlations between process data, test structure properties and device caracteristics of MOSFETs via machine learning models weiterlesen
- BA: Optimierung von Abkühlprozessen in der KristallzüchtungDaniel-Sebastian Nastasa — Diese Arbeit entwickelt ein simulationsgestütztes Framework zur Optimierung von Abkühlprozessen in der Kristallzüchtung. Methodisch werden ein zweidimensionales, axialsymmetrisches FEM-Modell (scikit-fem) für die transiente Wärmeleitung mit Dirichlet-/Neumann-Randbedingungen sowie eine gekoppelte thermoelastische Spannungsberechnung (Hookesches Gesetz, Cauchy-Gleichungen) eingesetzt. Das zugrunde liegende Programm stammt aus der Masterarbeit von Jesse Schardjin und wurde in dieser Arbeit entsprechend… BA: Optimierung von Abkühlprozessen in der Kristallzüchtung weiterlesen
- MA: Untersuchung von SiC Material- und Bauelementeeigenschaften bei kryogenen TemperaturenElena Hobbacher — Siliziumkarbid stellt aufgrund der Kombination optisch aktiver Farbzentren mit etablierten halbleitertechnologischen Prozessen eine vielversprechende Materialplattform für Quantentechnologien dar, die einen Betrieb bei kryogenen Temperaturen erfordern. Für solche Anwendungen sind ein stabiler elektrischer Transport sowie zuverlässige ohmsche Kontakte essenziell, da Ladungsrauschen und nichtideales Transportverhalten die Bauelementfunktion bei niedrigen Temperaturen beeinträchtigen können. Während der… MA: Untersuchung von SiC Material- und Bauelementeeigenschaften bei kryogenen Temperaturen weiterlesen
Die abgeschlossenen Arbeiten aus dem Jahr 2025 finden Sie hier.
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