Im Forschungsfeld Prozesstechnologie und Charakterisierung werden Prozesssequenzen und Einzelprozessschritte zur Herstellung innovativer Halbleiterbauelemente entwickelt, charakterisiert und optimiert. Ziel ist, den Zusammenhang von Prozessparametern, Materialeigenschaften und Bauelementperformance ganzheitlich zu verstehen. Ein Schwerpunkt liegt in der Entwicklung von Prozessen zur Realisierung zuverlässiger, hochtemperaturfester und effizienter Bauelemente für anspruchsvolle Leistungs-, Hochtemperatur- und Sensorik-Anwendungen auf Halbleitern hoher und ultrahohe Bandlücke.

Dafür stehen dem Lehrstuhl in Kooperation mit dem Fraunhofer Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie (IISB) vollständige Prozesslinien für Silizium und Siliziumkarbid im Reinraumlabor der FAU mit umfangreicher Analyse- und Messtechnik zur Verfügung.

Aktuelle Forschungsthemen:

• Physikalische Modellierung mikrospektroskopischer Messungen zur Charakterisierung von Dünnschichtsystemen (Julian Schwarz)
• Entwicklung von Elektronen- und Strahlendetektoren inkl. Ausleseelektronik auf Basis von (U)WBG-Sensoren (Gordon Neue, Yujia Liu)
• Epitaktisches Wachstum für 2-dimensionale Löchergase in III/IV-Halbleitersystemen für die Funktionalisierung in leistungselektronischen Bauelementen (Promotionsvorhaben in Kooperation mit Fraunhofer IISB)
• Alternative Ansätze zur Herstellung und Charakterisierung ohmscher Kontakte auf p- und -Typ-Siliziumkarbid (Promotionsvorhaben in Kooperation mit Fraunhofer IISB)
• Multilagen-Metallisierung für hochtemperaturstabile 4H-SiC-CMOS-Bauelemente (Promotionsvorhaben in Kooperation mit Fraunhofer IISB)
• Entwicklung robuster Lithographieprozesse für eine Sub-Mikrometertechnologie auf 4H-SiC (Promotionsvorhaben in Kooperation mit Fraunhofer IISB)

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