23. Januar 2026

BA: Herstellung und Charakterisierung von NbN Dünnschicht Abscheidung mittels IBAD

reserviert Atakan Y.

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Seit einiger Zeit beschäftigt sich der Lehrstuhl für Elektronische Bauelemente bereits mit dem innovativen Themenfeld der Quantenbauelemente und der Prozessintegration für quanten-elektronische Anwendungen. Dabei liegt der Fokus darauf, das Halbleitermaterial SiC im Bereich Quanten-Computing zu nutzen und SiC-Qubits in Bauelemente zu integrieren. Dabei werden die quantenelektronischen Eigenschaften von Punktdefekten, sogenannten Farbzentren, im Kristallgitter gezielt manipuliert und ausgelesen. Dieses neuartige Forschungsgebiet stößt hierbei sowohl auf technologische Grenzen, die es zu überwinden gilt, als auch auf grundlegende physikalische Fragestellungen hinsichtlich Optik, Photonik und Elektronik unter extremen Bedingungen (kryogene Temperaturen).
Im Zuge dieser Bachelorarbeit sollen Niobnitrid Dünnschichtfilme mittels Ion Beam Assisted Deposition (IBAD) eingefahren werden. Solche Dünnschichten werden für die Herstellung von Superconducting Nanowire Single Photon Detectors (SNSPDs) benötigt, welche das wichtigste Element zum auslesen eines Farbzentrums darstellen. Mittels der Stöchiometrie, sowie der Kristallinität/Amorphität des Materials, können die Eigenschaften des Photodetektors entscheiden beeinflusst werden. Ziel dieser Bachelorarbeit ist es herauszufinden mit welchen Parametern an der IBAD Anlage stöchiometrisch gewünschte Dünnschichten mit gewünschter Dicke entstehen, sowie herauszufinden wie die Kristallinität/Amorphität der Dünnfilme eingestellt werden kann.

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