Dr.-Ing. Norman Böttcher

Chair of Electron Devices

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  • Monolithisch integrierter Überstromschutzschalter basierend auf 4H-SiC JFET Technologie

    (Own Funds)

    Project leader: ,
    Term: since 1. August 2019
    Acronym: SiC-DCBreaker
    Abstract

    Im Rahmen des Forschungsprojekts soll eine halbleiterbasierte elektrische Sicherung entwickelt, hergestellt und charakterisiert werden. Hierfür wird zunächst mithilfe von analytischer und numerischer Modellierung eine (Bauelement-) Zelltopologie konzipiert, die zur monolithischen Integration des Prinzips "thyristor dual" geeignet ist. Da JFETs für die Umsetzung des "thyristor dual" von Vorteil sind, wird im Anschluss die Realisierbarkeit einer 4H-SiC JFET Technologie innerhalb der am LEB/IISB zur Verfügung stehenden Reinraumumgebung nachgewiesen. Die in diesem Zuge entwickelte JFET Technologie wird zur Herstellung von Prototypen verwendet, welche dann der elektrischen Charakterisierung des neuartigen Sicherungskonzeptes dienen. Die quasi-statischen und transienten Eigenschaften der Prototypen werden im finalen Schritt denen der Simulationsmodelle und des Standes-der-Technik gegenübergestellt und diskutiert.