Navigation

Technologie integrierter Schaltungen

Dozent/in

Details

Zeit/Ort n.V.:

https://www.studon.fau.de/crs3251753.html

  • Zeit n.V.

Studienfächer / Studienrichtungen

  • WPF BPT-MA-E ab Sem. 1
  • PF EEI-BA-MIK ab Sem. 5
  • WPF EEI-BA-MIK ab Sem. 5
  • PF EEI-MA-MIK ab Sem. 1
  • WPF EEI-MA-MIK ab Sem. 1
  • WF EEI-BA ab Sem. 5
  • WF EEI-MA ab Sem. 1
  • PF INF-NF-EEI ab Sem. 5
  • WPF ME-BA-MG4 ab Sem. 3
  • WPF ME-MA-MG4 ab Sem. 1
  • WF NT-MA ab Sem. 1

Inhalt

Thema der Vorlesung sind die wesentlichen Technologieschritte zur Herstellung elektronischer Halbleiterbauelemente
und integrierter Schaltungen. Der erste Teil der Vorlesung beginnt mit der Herstellung von einkristallinen Siliciumkristallen. Anschließend werden die
physikalischen Grundlagen der Oxidation, der Dotierungsverfahren Diffusion und Ionenimplantation sowie der
chemischen Gasphasenabscheidung von dünnen Schichten behandelt. Ergänzend dazu werden Ausschnitte aus
Prozessabläufen, wie sie heute bei der Herstellung von hochintegrierten Schaltungen wie Mikroprozessoren oder
Speicher verwendet werden, dargestellt und anhand von Bauelementen (Kondensator, Diode und Transistor) wichtige
Prozessparameter und Bauelementeeigenschaften erläutert.

ECTS-Informationen

Titel

Technology of Integrated Circuits

Credits

5

Inhalt:

The lecture discusses the fundamental processing steps for manufacturing semiconductor devices and integrated circuits. In the
first part, the production of monocrystalline silicon crystals is described. Then, oxidation, and the doping processes diffusion
and ion implantation as well as the deposition of thin insulating and conducting films are presented. Additionally, process
sequences used in the fabrication of today's ULSI-ICs such as microprocessors and memory modules are described as well as
the impact of process parameters on electron device characteristics.

Zusätzliche Informationen

Erwartete Teilnehmerzahl: 20

www: https://www.studon.fau.de/crs3251753.html