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Vorlesungen

Nano IV: Halbleiter

Dozent/in

Details

Zeit/Ort n.V.:

Veranstaltung für Studiengang Nanotechnologie.

  • Do 10:15-11:45, Raum 0.111

Studienfächer / Studienrichtungen

  • PF NT-BA ab Sem. 4

Inhalt

  • Ladungsträgerkonzentrationen im intrinsischen (undotierten) und dotierten Halbleiter

  • Transporteigenschaften (Drift, Diffusion) von Ladungsträgern im Halbleiter

  • Funktionsweise von Halbleiterbauelementen (Dioden, Feldeffekttransistoren)

  • Überblick über die wichtigsten Prozessschritte zur Herstellung von Halbleiterbauelementen

Empfohlene Literatur

- Vorlesungsskript, am LEB erhältlich - R. Müller: Grundlagen der Halbleiter-Elektronik, Band 1 der Reihe Halbleiter-Elektronik, Springer-Verlag, Berlin, 2002 - D.A. Neamen: Semiconductor Physics and Devices: Basic Principles, McGraw-Hill (Richard D. Irwin Inc.), 2002 - D. Widmann, H. Mader, H. Friedrich: Technology of Integrated Circuits, Springer Verlag, 2000

Zusätzliche Informationen

Erwartete Teilnehmerzahl: 29