Nano IV: Halbleiter
Dozent/in
Details
Zeit/Ort n.V.:
Veranstaltung für Studiengang Nanotechnologie. Die Veranstaltung wird zunächst im digitalen Format über StudOn (https://www.studon.fau.de/crs2847766.html) stattfinden.
- Di 16:15-17:45, Raum H16
Studienfächer / Studienrichtungen
- PF NT-BA ab Sem. 4
Inhalt
- Ladungsträgerkonzentrationen im intrinsischen (undotierten) und dotierten Halbleiter
- Transporteigenschaften (Drift, Diffusion) von Ladungsträgern im Halbleiter
- Funktionsweise von Halbleiterbauelementen (Dioden, Feldeffekttransistoren)
- Überblick über die wichtigsten Prozessschritte zur Herstellung von Halbleiterbauelementen
Empfohlene Literatur
- Vorlesungsskript, am LEB erhältlich - R. Müller: Grundlagen der Halbleiter-Elektronik, Band 1 der Reihe Halbleiter-Elektronik, Springer-Verlag, Berlin, 2002 - D.A. Neamen: Semiconductor Physics and Devices: Basic Principles, McGraw-Hill (Richard D. Irwin Inc.), 2002 - D. Widmann, H. Mader, H. Friedrich: Technology of Integrated Circuits, Springer Verlag, 2000
Zusätzliche Informationen
Erwartete Teilnehmerzahl: 38