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Halbleiterbauelemente

Dozent/in

Details

Zeit/Ort n.V.:

Hinweis: die Veranstaltung wird in diesem Semester zunächst im digitalen Format angeboten. Weitere Informationen finden Sie im StudOn-Kurs zum Modul Halbleiterbauelemente

  • Do 8:15-9:45, Raum H5
  • Einzeltermin am 27.04.2020 8:15-9:45, Raum H5

Studienfächer / Studienrichtungen

  • WF MS-MA ab Sem. 1
  • PF ME-BA ab Sem. 4
  • WPF MT-MA-MEL ab Sem. 1
  • WPF MT-BA-BV ab Sem. 5
  • WF C-MA ab Sem. 1
  • WF MWT-MA-TS ab Sem. 1
  • PF BPT-MA-M-E ab Sem. 1

Prerequisites / Organizational information

Unterlagen zur Vorlesung über StudOn erhältlich

Inhalt

Die Vorlesung Halbleiterbauelemente vermittelt den Studenten der Elektrotechnik die physikalischen Grundlagen moderner Halbleiterbauelemente. Der erste Teil der Vorlesung befasst sich nach einer Einleitung mit Bewegungsgleichungen von Ladungsträgern im Vakuum sowie der Ladungsträgeremission im Vakuum und daraus abgeleiteten Bauelementen. In der anschließenden Behandlung von Ladungsträgern im Halbleiter werden die wesentlichen Aspekte der Festkörperphysik zusammengefasst, die zum Verständnis moderner Halbleiterbauelemente nötig sind. Darauf aufbauend werden im Hauptteil der Vorlesung die wichtigsten Halbleiterbauelemente, d.h. Dioden, Bipolartransistoren und Feldeffekttransistoren detailliert dargestellt. Einführungen in die wesentlichen Grundlagen von Leistungsbauelementen und optoelektronischen Bauelementen runden die Vorlesung ab.

Empfohlene Literatur

- Vorlesungsskript, am LEB erhältlich - Neamen, D.A.: Semiconductor Physics and Devices: Basic Principles, 2nd ed., McGraw-Hill (Richard D. Irwin, Inc., Burr Ridge), USA, 1997 - Müller, R.: Grundlagen der Halbleiter-Elektronik: Band 1 der Reihe Halbleiter-Elektronik, 7. Auflage, Springer Verlag, Berlin, 1995

ECTS-Informationen

Titel

Semiconductor Devices

Inhalt:

Semiconductor Devices is a lecture on the physical foundations of modern semiconductor devices especially for electrical engineering students. Following a brief introduction, the equations of motion of charged carriers in vacuum as well as the emission of charge carriers in vacuum are described together with vacuum devices. Next, charge carriers in semiconductors are discussed: The essential aspects of solid state physics, basic prerequisites to an understanding of modern semiconductor devices, are summarized. On this basis, the principal semiconductor devices such as diodes, bipolar transistors and FETs are presented in detail. Introductions to the basics of power devices and opto-electronic devices complete the lecture.

Zusätzliche Informationen

Erwartete Teilnehmerzahl: 92

www: https://www.studon.fau.de/crs2847720.html