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Atomlagenabscheidung von Dotierstoffquellen für die Dotierung von Halbleiterstrukturen – Charakterisierung und Modellierung der Drive-In Prozesse

Atomlagenabscheidung von Dotierstoffquellen für die Dotierung von Halbleiterstrukturen - Charakterisierung und Modellierung der Drive-In Prozesse

(Drittmittelfinanzierte Einzelförderung)

Titel des Gesamtprojektes:
Projektleitung:
Projektbeteiligte:
Projektstart: 2. Oktober 2017
Projektende: 30. September 2019
Akronym: FR 713/14-1
Mittelgeber: DFG-Einzelförderung / Sachbeihilfe (EIN-SBH)
URL:

Abstract

Das wissenschaftliche Programm des Antrags beinhaltet die Zielsetzung, ergänzend zu Atomlagenabscheidungsprozessen für Boroxid und Antimonoxid, solche für phosphorhaltige Schichten zu entwickeln. Zudem sind für instabile dotierstoffhaltige Schichten geeignete Verfahren zur ihrer Stabilisierung zu finden und zu analysieren. Die abgeschiedenen Schichten sollen als Dotierstoffquelle für Silicium zur Erzeugung ultraflacher und homogen dotierter pn-übergänge, insbesondere bei dreidimensionalen Topographien, verwendet werden. über diese experimentellen Arbeiten hinaus sollen die abgeschiedenen Schichten charakterisiert und die Diffusionsprozesse im Silicium und in der Oxidphase untersucht und damit die Dotierprozesse modelliert werden.

Publikationen