{"id":5513,"date":"2026-01-16T10:15:31","date_gmt":"2026-01-16T09:15:31","guid":{"rendered":"https:\/\/www.leb.tf.fau.de\/?page_id=5513"},"modified":"2026-02-04T13:34:29","modified_gmt":"2026-02-04T12:34:29","slug":"practical-exercises","status":"publish","type":"page","link":"https:\/\/www.leb.tf.fau.de\/en\/study\/practical-exercises\/","title":{"rendered":"Practical exercises"},"content":{"rendered":"\n<p>This website is currently work in progress.<\/p>\n\n\n\n<p>Please find the German version below:<\/p>\n\n\n<div class=\"rrze-elements accordion style_default\" id=\"accordion-0\"><\/p>\n<div class=\"accordion-group\">\n<h2 class=\"accordion-heading\"><button class=\"accordion-toggle\" data-toggle=\"collapse\"  href=\"#collapse_0\" aria-expanded=\"true\" aria-controls=\"collapse_0\" id=\"collapse_button_0\"> Praktika am LEB <\/button><\/h2>\n<div id=\"collapse_0\" class=\"accordion-body open\" aria-labelledby=\"collapse_button_0\">\n<div class=\"accordion-inner clearfix\">\n<ul>\n<li><strong>Praktikum Mikroelektronik<\/strong> (SS)<br \/>\n3 SWS, nur Bachelor EEI<br \/>\nVoraussetzung: &#8220;HLT I &#8211; Technologie integrierter Schaltungen&#8221; und\/oder &#8220;HL V &#8211; Halbleiter- und Bauelementemesstechnik&#8221;Ziel ist es, praktische Erfahrungen in den Bereichen Herstellungsverfahren und elektrische Charakterisierung, Simulation und Entwurf sowie der Anwendung von mikroelektronischen Bauelementen, Schaltungen und Systemen zu erlangen. Es muss eine Auswahl von 7 Versuchen getroffen werden. Hinweis: es muss von jedem der vier beteiligten Lehrst\u00fchle mindestens ein Versuch ausgew\u00e4hlt werden. Die folgenden Versuche werden i.d.R. angeboten: LEB 1 &#8211; Charakterisierung von MOSFETs LEB 2 &#8211; Charakterisierung von pn-Dioden LEB 3 &#8211; Charakterisierung von MOS-Kondensatoren LTE 1 &#8211; Analog circuit design (schematic) LTE 2 &#8211; Analog circuit design (layout) LTE 3 &#8211; Simulation von HF-Strukturen on-Chip mit Sonnet LTE 4 &#8211; Diskreter Delta-Sigma ADU LZS 1 &#8211; Entwurf und Simulation eines FlipFlops (Pflichtversuch LZS) LZS 2 &#8211; Full-Custom-Layout einer Flipflop-Standardzelle LIKE 1 &#8211; Digital-Entwurf mit VHDL (Pflichtversuch LIKE) LIKE 2 &#8211; Simulation mit VHDL und Testfreundlicher Digital-Entwurf<\/li>\n<li><strong>Praktikum Halbleiter- und Bauelementemesstechnik<\/strong> (WS &amp; SS)<br \/>\n3 SWS, Bachelor und Master EEI und Mechatronik<br \/>\nVoraussetzung: &#8220;HLT I &#8211; Technologie integrierter Schaltungen&#8221; und\/oder &#8220;HL V &#8211; Halbleiter- und Bauelementemesstechnik&#8221;Im Praktikum zur Halbleiter- und Bauelementemesstechnik wird ein Teil der in der gleichnamigen Vorlesung besprochenen Messverfahren praktisch durchgef\u00fchrt. Zu Beginn des Praktikums wird die Relevanz der Messtechnik zur Prozesskontrolle aber auch in der Bauelementeentwicklung anhand eines typischen CMOS-Prozesses erl\u00e4utert. Im Bereich Halbleitermesstechnik werden dann Versuche zur Scheibeneingangskontrolle, zu optischen Schichtdicken- und Strukturbreitenmessverfahren, sowie zur Profilmesstechnik durchgef\u00fchrt. Im Bereich Bauelementemesstechnik werden MOS-Kondensatoren und MOS-Transistoren, Dioden, Widerst\u00e4nde und spezielle Teststrukturen elektrisch charakterisiert.<\/li>\n<\/ul>\n<li><strong>Praktikum Halbleitertechnologie<\/strong> (SS)<br \/>\n3 SWS, Bachelor und Master EEI und Mechatronik<br \/>\nVoraussetzung: &#8220;HLT I &#8211; Technologie integrierter Schaltungen&#8221;.<\/li>\n<\/ul>\n<p><em>Die StudOn-Kurse zu den Seminaren des LEBs finden Sie unter: <a href=\"https:\/\/www.studon.fau.de\/studon\/goto.php?target=cat_66057\">https:\/\/www.studon.fau.de\/studon\/goto.php?target=cat_66057<\/a><\/em><\/p>\n<\/div>\n<\/div>\n<\/div>\n<\/div>\n\n\n\n\n<p><\/p>\n","protected":false},"excerpt":{"rendered":"<p>This website is currently work in progress. 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